聯電年度股東會上，共同總經理簡山杰強調，與英特爾共同開發12nm制程平臺將是公司技術發展重點，預計在2026年研發成功、2027年實現規模化生產。

今年初，聯電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺，以滿足移動設備、通信基礎設施及網絡市場的高速增長需求。

此次長期戰略合作將借助英特爾在美國的大規模制造能力以及聯電豐富的成熟制程晶圓代工經驗，拓展制程組合，為全球客戶提供更優質的供應鏈服務，助力其做出明智的采購決策。

聯電共同總經理王石表示，聯電與英特爾在美國開展12nm FinFET制程合作，是公司追求經濟高效產能擴張和技術節點升級策略的重要環節，這也是公司對客戶始終如一的承諾。

該合作將幫助客戶順利過渡至關鍵技術節點，同時受益于北美市場產能的擴大所帶來的供應鏈穩定性。他期待與英特爾深化戰略合作關系，充分發揮各自優勢，拓寬潛在市場，加速技術創新步伐。

股東會期間，簡山杰還詳細介紹了聯電12nm FinFET制程平臺相較于前代14nm FinFET的顯著優勢，包括芯片尺寸減小、功耗降低等，充分發揮了FinFET的性能、功耗和閘密度優勢，可廣泛應用于各類半導體產品。他透露，聯電12nm FinFET制程平臺將于2026年研發成功，2027年實現規模化生產。