近日，國內新型存儲器制造商中天弘宇在首款小容量NOR Flash產品量產后，又推出了容量更大的第二代產品，已進入流片環節，預期5月中旬進行首次MPW流片。

據供應鏈透露，中天弘宇的新產品將采用28nm制程，單個顆粒的設計存儲容量將達至2GB以上，相較之下，業界現行最高水平只有512MB。這標志著該公司是否能夠運用“二次電子倍增注入浮柵”原理突破NOR Flash工藝限制，將在這一代產品中得到驗證。

中天弘宇的專家表示，這項技術創新主要通過在傳統存儲單元上增加縱向電壓，產生二次電子，這些電子在溝道中以倍增的速度快速穿行，并在浮柵上高效聚集，從而實現NOR Flash的小面積、低成本、大容量、低功耗特性。此外，該技術還兼容標準邏輯制程。

據悉，中天弘宇的第二代產品已經獲得上海及國家級科研重點項目的立項支持，它的問世有望使我國在NOR Flash領域占據領先地位，同時為各類智能化設備、自動化裝備提供全新的存儲器解決方案。

據中天弘宇之前的公開聲明，他們的大容量產品將在無人機機器人等高端電子設備以及各類邊緣計算智能設備市場等新興市場提供低成本、高可靠性的單芯片產品。