三星研究建DRAM內存廠，但選封裝技術
據韓媒Alphabiz報道，三星電子原本有意在美國建立DRAM內存晶圓廠，然而因多種原因改變計劃，改為建立先進封裝設施。
近期達成的初步協議顯示，三星電子將從美國獲得總計高達64億美元（相當于約464億元人民幣）的補貼，用于建設位于得克薩斯州泰勒市的兩大先進邏輯代工廠、一座先進封裝工廠以及一座先進制程研發設施。
據悉，三星電子原計劃在泰勒市設立一家10納米級別的DRAM內存晶圓廠，并在協議簽署前進行了深入討論。
美國為該項目提供了優惠政策，三星方面也表現出濃厚興趣。然而，由于諸多因素影響，如技術難度大、成本高等，以及韓國政府的反對，該建廠計劃未能實現。
另外，美國與泰勒市均對先進封裝業務的環保審批表示支持，因此三星電子決定轉向建設先進封裝工廠。
業界人士指出，相較于美國，韓國對半導體產業的支持力度不足，這也是三星電子考慮在美設廠的原因之一。若韓國政府無法展現出足夠的誠意，此類計劃未來仍有可能實現。
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