據(jù)臺(tái)灣媒體DIGITIMES 引述長(zhǎng)江存儲(chǔ)的發(fā)言人稱，公司截至X3-6070QLC閃存已通過(guò)第三代Xtacking技術(shù)取得了3，000次P/E的擦寫壽命突破。

另外，結(jié)合消費(fèi)級(jí)原廠TLC固態(tài)硬盤常見的3，000次以上P/E擦寫壽命表現(xiàn)進(jìn)行對(duì)比，可以看出長(zhǎng)江存儲(chǔ)的進(jìn)展顯著。

值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官（CTO）霍宗亮指出，NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇，并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合增長(zhǎng)率以及20%的累計(jì)設(shè)備平均容量增長(zhǎng)。

新的市場(chǎng)趨勢(shì)包括每GB成本的快速下降、讀寫性能持續(xù)增強(qiáng)以及如何滿足多元的客戶需求。客戶愿意付出同樣的代價(jià)換取更多存儲(chǔ)密度。

針對(duì)密度提升的問(wèn)題，業(yè)界轉(zhuǎn)向QLC NAND的研發(fā)日益凸顯，特別是預(yù)計(jì)到2027年時(shí)，QLC的市占率將躍升至40%，遠(yuǎn)超出過(guò)去的13%。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)強(qiáng)調(diào)，公司運(yùn)用第三代Xtacking技術(shù)的X3-6070QLC閃存已經(jīng)可以與上代產(chǎn)品相比表現(xiàn)出IO性能提升50%、存儲(chǔ)密度增加70%以及擦寫壽命達(dá)到4，000次P/E的可喜進(jìn)步。

這項(xiàng)成果說(shuō)明長(zhǎng)江存儲(chǔ)的QLC技術(shù)已然成熟，為向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)和移動(dòng)終端等多個(gè)領(lǐng)域拓展奠定了基礎(chǔ)。在場(chǎng)的憶恒創(chuàng)源在此次峰會(huì)上便選擇展示使用長(zhǎng)存QLC閃存的PBlaze7 7340系列數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤。

在涉及QLC的技術(shù)細(xì)節(jié)上，Xtacking的CMOS電路和閃存陣列分離設(shè)計(jì)增加了算法的靈活性，進(jìn)一步提高了QLC的可靠性。此外，依靠第三代Xtacking技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)更廣泛的電壓調(diào)制范圍，進(jìn)一步提高了讀取窗口的可靠性。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)還展出了PC41Q消費(fèi)級(jí)QLC固態(tài)硬盤，其中，順序讀寫帶寬高達(dá)5500MB/s；長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣稱這款固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性及可靠性不亞于TLC固態(tài)硬盤，可實(shí)現(xiàn)30℃下連續(xù)兩年的數(shù)據(jù)保持以及長(zhǎng)達(dá)200萬(wàn)小時(shí)的無(wú)故障工作時(shí)間。