近日，首個膠體量子點成像芯片在光谷實驗室研發成功，其具備優異性能。該芯片已能實現短波紅外成像，面陣規模達到30萬，盲元率低于每十萬個像素中只有6個因素導致信號丟失，圖像波長范圍為0.4至1.7微米，暗電流密度小于50納安每平方厘米，而外部量子效率超過了60%。這一研發成就體現出中國光谷在先進科技領域的強大實力和創新能力。

據悉，該項目負責人表示，該新型成像芯片的優勢在于圖像分辨率高（理論上像素尺寸僅受限于艾利斑直徑），適用于多種基底，可定制探測波段，不再受到襯底吸收影響，且可以進行大規模生產，并兼容12英寸CMOS晶圓制備工藝，生產成本較低，具顛覆市場之勢。

該研究團隊經過四年艱苦奮戰（全力攻關量子點技術），利用低溫溶液法制備工藝，成功開發出能與硅基芯片集成的量子點短波紅外成像芯片，其探測波段范圍遠勝過傳統銦鎵砷芯片，制造成本僅占后者的近百分之一。這種巨大的價格優勢，讓量子點芯片有望在新市場領域大展拳腳。