国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

塑封SIP集成模塊封裝可靠性分析

半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 來源:半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 作者:半導(dǎo)體封裝工程師 ? 2024-02-23 08:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

共讀好書

劉文喆 陳道遠(yuǎn) 黃煒

(中國電子科技集團(tuán)公司)

摘要:

塑封器件具有體積小、成本低的優(yōu)點(diǎn),逐步替代氣密性封裝器件,廣泛地應(yīng)用于我國軍用產(chǎn)品中。軍用塑封SIP(System In Package)產(chǎn)品集成度高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、可靠性要求高等特點(diǎn),對塑封工藝帶來了挑戰(zhàn),目前國內(nèi)工業(yè)級塑封產(chǎn)品不能完全滿足軍用可靠性要求,工業(yè)級塑封產(chǎn)品常在嚴(yán)酷的環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)下表現(xiàn)出失效。本文針對工業(yè)級塑封 SIP 器件在可靠性試驗(yàn)過程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象進(jìn)行分析研究,通過超聲檢測、芯片切面分析等手段,結(jié)合產(chǎn)品應(yīng)力試驗(yàn)結(jié)果,分析導(dǎo)致塑封產(chǎn)品失效的關(guān)鍵原因,并針對失效機(jī)理提出優(yōu)化改進(jìn)方案。

引言

塑封器件具有體積小,重量輕,成本低,電性能指標(biāo)優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn),在軍用電子元器件領(lǐng)域應(yīng)用日益廣泛[1] 。

塑封器件分層是其典型的故障模式,封裝材料熱膨脹系數(shù)的不同以及被粘接材料表面能低,是造成塑封電路分層的內(nèi)部原因。在塑封器件失效案例中因塑封分層導(dǎo)致的失效是比較隱蔽、不易被發(fā)現(xiàn)的,但其對塑封器件長期可靠性帶來了較大隱患,例如塑封器件分層后水汽進(jìn)入內(nèi)部,對芯片的鋁電極產(chǎn)生腐蝕,導(dǎo)致電極開路失效。

本文選取一款復(fù)雜結(jié)構(gòu)塑封 SIP(System In Pack-age)產(chǎn)品,其較常規(guī)塑封單片電路結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,內(nèi)部器件類型多樣、器件尺寸及高度不一致等因素對其塑封工藝帶來極大挑戰(zhàn)。本文采用多樣品多應(yīng)力條件試驗(yàn)驗(yàn)證的方式,分析影響塑封 SIP 繼承模塊封裝可靠性的關(guān)鍵環(huán)境因素,通過對環(huán)境進(jìn)行特殊的控制和工藝優(yōu)化可以解決塑封分層問題,為塑封器件的可靠應(yīng)用提供有效支撐。

1 產(chǎn)品簡介

該款塑封 SIP 集成模塊由 6 款芯片、3 款無源器件和有機(jī)基板組成,無源器件包括電阻電容和磁珠,采用塑封工藝進(jìn)行封裝。其封裝結(jié)構(gòu)圖如圖 1 所示。

46043764-d1e4-11ee-b759-92fbcf53809c.png

為達(dá)到軍用塑封產(chǎn)品可靠性指標(biāo),該款塑封 SIP 集成模塊產(chǎn)品需經(jīng)歷的可靠性環(huán)境試驗(yàn)包括溫度循環(huán)、預(yù)處理(烘焙、濕浸、回流焊、清洗、烘干等)、高溫貯存、強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱(H AST)。

2 失效原因分析

該產(chǎn)品經(jīng)歷烘焙(125 ℃,24 h)、濕浸(60 ℃,60 % RH ,40 h)、回流焊(3次)、溫度循環(huán)(-40 ℃/60 ℃,5 次)并常溫烘干后,分兩組分別進(jìn)行溫度循環(huán)(-55 ℃ /150 ℃,100 次)、強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱(H A ST)(130 ℃ /85 % RH ,96 h)試驗(yàn),試驗(yàn)后采用超聲檢測方法檢測塑封結(jié)構(gòu)變化情況。檢測結(jié)果顯示所有試驗(yàn)樣品均出現(xiàn)塑封分層現(xiàn)象,分層區(qū)域?yàn)?IC6 鍵合焊盤處,如圖 1、2 標(biāo)記處所示。

對故障件進(jìn)行 X 射線檢測,未發(fā)現(xiàn)明顯異常,形貌如圖 3 所示。因此,采用破壞性切片分析的手段,對超聲檢測不合格區(qū)域進(jìn)行定位,切片形貌可明顯觀察到基板上鍵合焊盤處與塑封料間存在分層,分層程度輕微,高度在 1 μm 以內(nèi),形貌如圖 4 所示。

461fe892-d1e4-11ee-b759-92fbcf53809c.png

4633df28-d1e4-11ee-b759-92fbcf53809c.png

試驗(yàn)過程中產(chǎn)品經(jīng)歷一定的溫度、濕度影響,為評估影響塑封器件分層的關(guān)鍵因素,對該款塑封 SIP 集成模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝工藝、經(jīng)歷應(yīng)力條件進(jìn)行分析排查。

2.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

該款塑封 SIP 集成模塊外形尺寸為 10 m m ×10 m m×1.8 m m ,選用QFN48塑封封裝實(shí)現(xiàn),采用6層有機(jī)基板,芯片與基板的互聯(lián)采用 25 μm 金絲球焊,實(shí)現(xiàn)內(nèi)部各個器件的連接和信號扇出。

分層處焊盤上 5 個鍵合點(diǎn)屬于同一電源網(wǎng)絡(luò),焊盤設(shè)計(jì)時按照區(qū)域方式設(shè)計(jì),區(qū)域?qū)挾葹?1.5 m m *0.2 m m ,如圖 1 標(biāo)記處所示,為該模塊中面積最大的焊盤。該區(qū)域焊盤塑封料與鍵合區(qū)域間的接觸面較大,焊盤接觸面材料為 Au 較為光滑,易形成空洞,與塑封料間附著力減小,引起接觸面塑封分層,且金屬與塑封料之間的界面面積越大,分層的可能性越大。

該款結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)焊盤面積偏大,與塑封料界面處存在一定分層的風(fēng)險(xiǎn)。

2.2 封裝工藝

該款塑封 SIP 集成模塊選用 SUM ITOM O G760L 塑封料進(jìn)行封裝,該塑封料為行業(yè)內(nèi)主流材料。基板選用M GC 材料基板,該基板材料成熟,為通用大批量基板材料。

在材料選型及封裝過程控制上不存在風(fēng)險(xiǎn)。

2.3 應(yīng)力條件分析

為判斷預(yù)處理中濕浸試驗(yàn)(濕度應(yīng)力)、回流焊試驗(yàn)(溫度應(yīng)力)、溫度循環(huán)(溫度應(yīng)力)、強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱(溫濕度應(yīng)力) [2] 分別對該款塑封 SIP 集成模塊超聲檢測分層的影響,選取合格樣品,分組進(jìn)行可靠性評估試驗(yàn),每分組 5 只樣品,試驗(yàn)條件及結(jié)果如表 1所示。

上述試驗(yàn)結(jié)果顯示,第2分組試驗(yàn)條件不進(jìn)行濕浸,烘焙后直接投入回流焊,隨后進(jìn)行超聲檢測,檢測結(jié)果顯示超聲無分層情況,表明分層主要受濕浸試驗(yàn)影響,塑封材料吸附了水汽,在回流焊過程中受高溫影響,水汽加速釋放,導(dǎo)致塑封料與金屬接觸面分層。

3 失效機(jī)理分析

塑封器件是以樹脂類聚合物為材料封裝的器件,由于塑封料與焊盤及基板材料的熱膨脹系數(shù)不完全一致,熱應(yīng)力作用下塑封器件內(nèi)不同材料的連接處會產(chǎn)生應(yīng)力集中,應(yīng)力水平超過其中任何一種封裝材料的屈服強(qiáng)度或斷裂強(qiáng)度導(dǎo)致器件分層;同時,樹脂類材料本身并非致密具有吸附水汽的特性,封裝體與引線框架的粘接界面等處也會引入濕氣進(jìn)入塑封器件,塑封器件中水汽含量過高時會引起塑封料與基板界面上的樹脂離解,即溫度、濕度應(yīng)力會導(dǎo)致塑封器件分層。

4 糾正措施建議

為避免較大面積焊盤經(jīng)歷環(huán)境試驗(yàn)后出現(xiàn)的塑封器件分層情況,建議改進(jìn)焊盤設(shè)計(jì),將原區(qū)域化設(shè)計(jì)焊盤(圖5(a))優(yōu)化為單個焊盤設(shè)計(jì)(圖 5(b)),優(yōu)化后單個焊盤尺寸為 0.15 m m ×0.1 m m ,由該款塑封 SIP 集成模塊中其余較小面積焊盤試驗(yàn)后均無分層情況可以判斷,該優(yōu)化方案可行。

結(jié)合本次產(chǎn)品失效情況,提出如下塑封產(chǎn)品結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):

塑封器件分層不僅與塑封原材料選擇、工藝控制相關(guān),與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也息息相關(guān)。在高可靠性塑封產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時,考慮產(chǎn)品電性能基礎(chǔ)上,需加強(qiáng)可靠性設(shè)計(jì),盡量避免使用較大面積整體區(qū)域化焊盤設(shè)計(jì)。當(dāng)塑封料附著于較大面積整體區(qū)域化焊盤時,粘接力下降,經(jīng)歷溫、濕度應(yīng)力試驗(yàn)后易出現(xiàn)輕微分層形貌,對產(chǎn)品長期使用可靠性產(chǎn)生影響。

46433d10-d1e4-11ee-b759-92fbcf53809c.png

465296e8-d1e4-11ee-b759-92fbcf53809c.png

5 結(jié)論

面對復(fù)雜結(jié)構(gòu)的塑封模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì),其可靠性與塑封原材料選擇、工藝控制、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)均相關(guān)[3] ,較大面積區(qū)域設(shè)計(jì)將降低產(chǎn)品可靠性,在經(jīng)歷一定溫度、濕度應(yīng)力試驗(yàn)后表現(xiàn)出分層,甚至直接引起產(chǎn)品失效。在高可靠性產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時,需考慮結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的可靠性。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiP
    SiP
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    540

    瀏覽量

    107732
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9249

    瀏覽量

    148627
  • 集成模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    52

    瀏覽量

    12732
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    什么是高可靠性

    ,PCB決定了電子封裝的質(zhì)量和可靠性。隨著電子產(chǎn)品越發(fā)小型化、輕量化、多功能化,以及無鉛、無鹵等環(huán)保要求的持續(xù)推動,PCB行業(yè)正呈現(xiàn)出“線細(xì)、孔小、層多、板薄、高頻、高速”的發(fā)展趨勢,對可靠性的要求會
    發(fā)表于 01-29 14:49

    MUN12AD03-SEC電源模塊性能、成本、可靠性三大優(yōu)勢

    MUN12AD03-SEC電源模塊性能、成本、可靠性三大優(yōu)勢隨著工業(yè)4.0、5G通信和AIoT的快速發(fā)展,電源模塊正從‘功能組件”向‘系統(tǒng)核心’演進(jìn)。客戶對效率、集成度和
    發(fā)表于 01-15 09:50

    極端環(huán)境振動位移傳感器的可靠性分析與提升策略

    面對極端環(huán)境,提高振動位移傳感器可靠性需要從材料、結(jié)構(gòu)、電路、封裝及系統(tǒng)級策略協(xié)同發(fā)力。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)、嚴(yán)格測試與部署自診斷、冗余機(jī)制,可顯著降低失效概率并延長服役壽命。
    的頭像 發(fā)表于 12-24 18:03 ?586次閱讀

    集成電路可靠性介紹

    required functions under stated conditions for a specific period of time)。所謂規(guī)定的時間一般稱為壽命(lifetime),基本上集成電路產(chǎn)品的壽命需要達(dá)到10年。如果產(chǎn)品各個部分的壽命都可以達(dá)到一定的標(biāo)準(zhǔn),那產(chǎn)品的
    的頭像 發(fā)表于 12-04 09:08 ?846次閱讀
    <b class='flag-5'>集成</b>電路<b class='flag-5'>可靠性</b>介紹

    【海翔科技】玻璃晶圓 TTV 厚度對 3D 集成封裝可靠性的影響評估

    ,在 3D 集成封裝中得到廣泛應(yīng)用 。總厚度偏差(TTV)作為衡量玻璃晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其數(shù)值大小直接影響 3D 集成封裝可靠性 。深入
    的頭像 發(fā)表于 10-14 15:24 ?462次閱讀
    【海翔科技】玻璃晶圓 TTV 厚度對 3D <b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>可靠性</b>的影響評估

    深入解析與使用感受:Isograph、Medini與REANA可靠性分析軟件對比

    上海磐時PANSHI“磐時,做汽車企業(yè)的安全智庫”深入解析與使用感受:Isograph、Medini與REANA可靠性分析軟件對比汽車行業(yè)的復(fù)雜和對安全的高要求,使得傳統(tǒng)的分析工具
    的頭像 發(fā)表于 09-05 16:20 ?10次閱讀
    深入解析與使用感受:Isograph、Medini與REANA<b class='flag-5'>可靠性分析</b>軟件對比

    提升功率半導(dǎo)體可靠性:推拉力測試機(jī)在封裝工藝優(yōu)化中的應(yīng)用

    。本文科準(zhǔn)測控小編將介紹如何通過Beta S100推拉力測試機(jī)等設(shè)備,系統(tǒng)研究了塑封功率器件分層的失效機(jī)理,分析了材料、工藝等因素對分層的影響,并提出了針對的工藝改進(jìn)方案,為提高塑封
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:15 ?902次閱讀
    提升功率半導(dǎo)體<b class='flag-5'>可靠性</b>:推拉力測試機(jī)在<b class='flag-5'>封裝</b>工藝優(yōu)化中的應(yīng)用

    網(wǎng)課回放 I 升級版“一站式” PCB 設(shè)計(jì)第三期:原理圖完整可靠性分析

    網(wǎng)課回放 I 升級版“一站式” PCB 設(shè)計(jì)第三期:原理圖完整可靠性分析
    的頭像 發(fā)表于 05-10 11:09 ?633次閱讀
    網(wǎng)課回放 I 升級版“一站式” PCB 設(shè)計(jì)第三期:原理圖完整<b class='flag-5'>性</b>及<b class='flag-5'>可靠性分析</b>

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試

    隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
    發(fā)表于 05-07 20:34

    電機(jī)微機(jī)控制系統(tǒng)可靠性分析

    。純分享帖,需要者可點(diǎn)擊附件獲取完整資料~~~*附件:電機(jī)微機(jī)控制系統(tǒng)可靠性分析.pdf 【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請第一時間告知,刪除內(nèi)容!
    發(fā)表于 04-29 16:14

    IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

    包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:38 ?3084次閱讀
    IGBT的應(yīng)用<b class='flag-5'>可靠性</b>與失效<b class='flag-5'>分析</b>

    聚焦塑封集成電路:焊錫污染如何成為可靠性“絆腳石”?

    本文聚焦塑封集成電路焊錫污染問題,闡述了焊錫污染發(fā)生的條件,分析了其對IC可靠性產(chǎn)生的多方面影響,包括可能導(dǎo)致IC失效、影響電化學(xué)遷移等。通過實(shí)際案例和理論解釋,深入探討了焊錫污染對
    的頭像 發(fā)表于 04-18 13:39 ?1306次閱讀
    聚焦<b class='flag-5'>塑封</b><b class='flag-5'>集成</b>電路:焊錫污染如何成為<b class='flag-5'>可靠性</b>“絆腳石”?

    從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要

    深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要 某廠商IGBT
    的頭像 發(fā)表于 03-31 07:04 ?1752次閱讀

    集成電路前段工藝的可靠性研究

    在之前的文章中我們已經(jīng)對集成電路工藝的可靠性進(jìn)行了簡單的概述,本文將進(jìn)一步探討集成電路前段工藝可靠性
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:08 ?1985次閱讀
    <b class='flag-5'>集成</b>電路前段工藝的<b class='flag-5'>可靠性</b>研究

    IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命,還關(guān)系到整個電力電子系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 03-18 10:14 ?1801次閱讀
    IGBT<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>封裝</b>:高效散熱,<b class='flag-5'>可靠性</b>再升級!