国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

ENIG Ni(P)鍍層焊接界面P偏析產生機理

jf_17722107 ? 來源:jf_17722107 ? 作者:jf_17722107 ? 2024-02-21 09:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

P偏析是指在使用ENIG Ni(P)鍍層進行回流焊接時,由于Ni和焊料中的Sn之間的冶金反應,導致Ni(P)層中的P元素在焊接界面附近富集的現象。P偏析會降低焊接界面的強度和可靠性,增加焊點的脆性和開裂的風險。


產生機理


當采用SnPb在Ni(P)層上焊接時,當熔融焊料和Ni(P)層接觸時,由于Ni(P)層的Ni和焊料中的Sn發生冶金反應生成的Ni3Sn4金屬間化合物,消耗了靠近焊料層區域中的Ni,使得該區域出現了富P層,從而導致P偏析,如圖1所示。

wKgaomXVTaCANmN0AAAeh0fHX84422.png

圖1. SnPb焊料與Ni(P)鍍層焊接時發生的P偏析


當采用無鉛焊料SAC在Ni(P)層上焊接時,情況與有鉛焊料基本類似,不同的是此時生成的金屬間化合物為Sn、Cu、Ni三元合金,如圖2所示。

wKgZomXVTaeABiJAAAAjn-MxuBg574.png

圖2. SAC焊料與Ni(P)鍍層焊接時發生的P偏析


從上述兩種情況可以看出,P偏析的產生機理主要是由于Ni的溶出和P的富集所導致的。Ni的溶出是由于Ni和Sn之間的冶金反應所致,而P的富集是由于P的擴散和Ni的消耗所致。P偏析會導致焊接界面的強度和可靠性的降低,因為P是一種脆性元素,它會使得金屬間化合物的結構變得不穩定和易碎,從而增加焊點的脆性和開裂的風險。


影響P偏析的因素
主要包括焊料的成分、Ni(P)層的厚度、焊接溫度和時間等。
1.焊料的成分:焊料的成分會影響Ni和Sn之間的冶金反應的速率和類型,從而影響Ni的溶出和P的富集的程度。一般來說,Sn的含量越高,Ni的溶出和P的富集越明顯,因為Sn會促進Ni的擴散和消耗。
另一方面,添加一定量的Cu或Ag可以有效地抑制P偏析,因為它們可以形成穩定的金屬間化合物,阻礙Ni的擴散。圖3表示了焊料合金成分對富P層和Ni-Sn化合物層厚度的影響。

wKgaomXVTa2ANEE4AABTk7dt8v0489.png

圖3. SAC的成分對富P層厚度變化的影響


從圖中可見,Sn3.5Ag二元合金的富P層的生長比較顯著。而對添加了Cu的三元合金,經歷30min的反應后也只有數百nm的厚度,Cu構成了Ni擴散的阻擋層。因此,焊料中Cu含量的不同,對界面層的形成有較大影響。


2.Ni(P)層的厚度:Ni(P)層的厚度會影響Ni的溶出和P的富集的程度,從而影響P偏析的嚴重性。一般來說,Ni(P)層的厚度越大,P的含量越高,P偏析的程度越嚴重,因為P的擴散和Ni的消耗的空間越大。而當Ni(P)層的厚度小于3μm時,P偏析的影響可以忽略不計。
3.焊接溫度和時間:焊接溫度和時間會影響Ni和Sn之間的冶金反應的速率和類型,從而影響Ni的溶出和P的富集的程度。一般來說,焊接溫度和時間越高,Ni的溶出和P的富集越明顯。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 焊接
    +關注

    關注

    38

    文章

    3563

    瀏覽量

    63235
  • ENIG
    +關注

    關注

    0

    文章

    10

    瀏覽量

    7083
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    電力電子變換器中環流動力學:產生機理、利用策略與碳化硅(SiC) MOSFET技術的范式轉變

    電力電子變換器中環流動力學:產生機理、利用策略與碳化硅(SiC) MOSFET技術的范式轉變 全球能源互聯網核心節點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導體之一級代理商傾佳電子
    的頭像 發表于 02-14 09:40 ?61次閱讀
    電力電子變換器中環流動力學:<b class='flag-5'>產生機理</b>、利用策略與碳化硅(SiC) MOSFET技術的范式轉變

    變頻器電磁干擾的產生機理及傳播途徑分析

    丟失等嚴重后果。本文將詳細介紹變頻器電磁干擾的產生機理、傳播途徑。 一、變頻器電磁干擾的產生機理 變頻器電磁干擾主要來源于其內部的功率開關器件(如IGBT)的高速開關動作。當這些功率器件以高頻(通常在幾千赫茲到幾十千
    的頭像 發表于 02-07 07:37 ?219次閱讀
    變頻器電磁干擾的<b class='flag-5'>產生機理</b>及傳播途徑分析

    淺析電源EMI產生機理

    傳導干擾主要是電子設備產生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸,互相產生干擾。進一步細分,傳導干擾又分共模干擾和差模干擾。
    的頭像 發表于 02-05 10:27 ?1173次閱讀

    如何基于P300個性化調控ADHD?

    HUIYINGADHD機理概述注意力缺陷多動障礙(ADHD)的核心機理涉及注意力資源分配缺陷,這反映在事件相關電位(ERP)中P300成分的振幅降低上。ADHD患者(包括成人和兒童)在執行
    的頭像 發表于 01-28 18:24 ?312次閱讀
    如何基于<b class='flag-5'>P</b>300個性化調控ADHD?

    C語言指針p、*p、&amp;p、*&amp;p、&amp;*p分別代表什么

    * p和 *p又代表什么嗎? 寫個測試程序下面是一個簡單的C語言代碼,可以用來演示上面提到的幾個標識符,讓我們更好的理解幾個標識符的意義: #include int main() { int a = 10
    發表于 01-07 07:34

    探索NTMFS005P03P8Z:高性能P溝道MOSFET的卓越表現

    作為電子工程師,我們在設計電路時,常常需要精心挑選合適的電子元件,以確保系統的高效穩定運行。今天,我要和大家分享一款來自安森美半導體(onsemi)的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z,深入探討它的特性、參數以及應用場景。
    的頭像 發表于 11-28 15:13 ?501次閱讀

    ?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術解析與應用指南

    onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET,尺寸為5mmx6mm,可節省空間并具有出色的熱傳導性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低
    的頭像 發表于 11-24 15:54 ?755次閱讀
    ?onsemi NTMFS003<b class='flag-5'>P03P</b>8Z <b class='flag-5'>P</b>溝道MOSFET技術解析與應用指南

    真空共晶爐/真空焊接爐——鍍層對共晶的影響

    真空共晶焊接是一個艱難的工藝探討過程,而不是簡單的加熱和冷卻。影響共晶質量的因素也有很多:升降溫的速率、真空度、充入的氣氛、焊料的選擇。今天我們從另一個方面,器件的表面鍍層,來探討一下對共晶質量的影響。
    的頭像 發表于 11-24 15:40 ?594次閱讀
    真空共晶爐/真空<b class='flag-5'>焊接</b>爐——<b class='flag-5'>鍍層</b>對共晶的影響

    ZK40P80T:P溝道MOS管中的高功率性能擔當

    中科微電深耕功率器件領域,針對P溝道器件的應用痛點,推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管,以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數,搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝,為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效
    的頭像 發表于 11-06 14:35 ?415次閱讀
    ZK40<b class='flag-5'>P</b>80T:<b class='flag-5'>P</b>溝道MOS管中的高功率性能擔當

    risc-v P擴展(一) P指令集簡介

    解碼、醫學成像、計算機視覺、嵌入式控制、機器人技術、人機界面等。 P指令集擴展提高了RISC-V CPU IP產品的DSP算法處理能力。隨著RISC-V P指令集擴展的增加,RISC-Vcpu現在可以以
    發表于 10-23 07:40

    什么是柯肯達爾空洞?

    關于ENIG焊盤焊接中柯肯達爾空洞與Ni氧化問題的技術解析
    的頭像 發表于 07-25 09:17 ?967次閱讀
    什么是柯肯達爾空洞?

    電容瞬態放電原理:大電流的產生機

    在《基于柔性探頭的電容放電瞬態電流分析》一文中,我們深入探討了測量電容放電瞬態電流的過程,但是電容是如何產生大電流的?接下來將著重介紹其中大電流的產生機制。電容儲能的物理本質決定能量釋放潛力電容器
    的頭像 發表于 07-18 17:02 ?1094次閱讀
    電容瞬態放電原理:大電流的<b class='flag-5'>產生機</b>制

    愛華 HS-P25、107/HS-P105/HS-P103 型立體聲放音機電路圖

    電子發燒友網站提供《愛華 HS-P25、107/HS-P105/HS-P103 型立體聲放音機電路圖.pdf》資料免費下載
    發表于 06-11 15:35 ?11次下載

    WD400-110S24P1 WD400-110S24P1

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)WD400-110S24P1相關產品參數、數據手冊,更有WD400-110S24P1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,WD400-110S24P1真值表,
    發表于 03-21 18:39
    WD400-110S24<b class='flag-5'>P</b>1 WD400-110S24<b class='flag-5'>P</b>1

    LT40P150FJC P溝道增強型功率MOSFET規格書

    電子發燒友網站提供《LT40P150FJC P溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 03-07 11:28 ?0次下載