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英特爾CEO:美日荷聯合限制下,中國芯片制造技術將落后10年!

旺材芯片 ? 來源:芯智訊 ? 2024-01-30 16:39 ? 次閱讀
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1月19日消息,據外媒報道,在2024年度“達沃斯世界經濟論壇”上,英特爾CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 表示,在美日荷的聯合限制之下,中國與全球頂尖晶圓廠的技術差距為10年!

在達沃斯論壇上,帕特·基辛格首先討論了全球供應鏈的脆弱性,這一問題在COVID-19大流行期間顯露無遺。他指出,數十年來的產業政策使芯片制造業集中在亞洲國家,而美國目前正試圖通過《芯片與科學法案》扭轉這一趨勢。這項立法旨在提高美國的技術自給自足能力。

帕特·基辛格稱,英特爾最先進的Intel 18A制程將會很快進入制造,未來更為先進的1.5nm晶圓廠將會在德國馬德堡上線,這不僅是德國最先進的制造業,也將是世界上最先進的制造業。

在談到中國在半導體制造領域的追趕時,帕特·基辛格表示,中國的半導體制造業與世界頂級晶圓廠的差距約為10年,而美日荷對于半導體設備的限制更是阻礙了中國半導體制造業的追趕。

“最近我們看到了美國的政策,荷蘭的政策,日本的政策等等,它們在 10 到 7nm 范圍內設置了一個底線,而我們正在競相突破 2nm,然后是 1nm 以下,你知道我們看不到盡頭。”帕特·基辛格說道。

中國現有的工具目前只能生產 14nm 和 7nm 芯片。而中國臺灣的臺積電、韓國的三星和美國的英特爾等公司正在準備在未來幾年內采用更先進的工藝生產 3nm、2nm 甚至更精密的半導體。

帕特·基辛格指出:“雖然有這些限制政策存在,但是中國并不是不會繼續創新。但這是一個高度互聯的行業,蔡司鏡頭、ASML的光刻機、日本的化學品和電阻技術、英特爾的大規模制造技術,所有這些加在一起,我認為這是一個10年的差距,而且我認為根據今天實施的出口政策,這將是一個可持續的10年差距,我確實相信這預示著在這種環境下,各國為出口和競爭力制定的政策很好,你知道美國正在努力確保情況確實如此。”

去年,臺積電創始人張忠謀也曾表示,美國的制裁可能會讓臺積電暫時受益,但對此類措施的長期效力表示懷疑。他預計,制裁將使中國在芯片制造技術上落后數年。不過,他也指出,像美國這樣的國家也需要大量時間來發展自己的芯片制造能力。

美國官員樂觀地認為,美國可以在十年內開始生產和封裝最先進的半導體。相比之下,英偉達(NVIDIA) 的首席執行官黃仁勛則認為這一目標可能需要 10 年或 20 年的時間才能完成。

值得注意的是,英特爾準備在2月21日在美國加利福尼亞州的圣何塞舉辦其代工業務盛會“IFS Direct Connect”,屆時該公司將展示半導體的未來。

據介紹,此次活動將由英特爾首席執行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 等高管以及英特爾代工服務(IFS)高級副總裁兼總經理斯圖爾特·潘 (Stuart Pann) 等高管參加,此次活動將重點討論代工廠未來的戰略。屆時,英特爾可能將會公布關其半導體工藝發展的最新信息,例如今年即將量產的Intel 20A和Intel 18A。此外,英特爾預計還將分享有關該公司未來的埃米級制程工藝的一些細節。

除了介紹半導體制程工藝的進展之外,英特爾還計劃披露其“全球首個AI系統代工廠”的信息,據稱這將引領半導體的未來之路。雖然我們不知道人工智能系統代工廠指的是什么,但它很可能是一個深受人工智能能力影響的工廠系統。

英特爾首席執行官帕特·基辛格本人的演講主題為:“硅經濟和人工智能系統鑄造廠:英特爾如何處于下一個拐點的中心”。

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原文標題:英特爾CEO:美日荷聯合限制下,中國芯片制造技術將落后10年!

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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