近日，國(guó)內(nèi)有2個(gè)氮化鎵項(xiàng)目公布新進(jìn)展，合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)、江南大學(xué)

新增2個(gè)GaN射頻項(xiàng)目

近日，新增的2個(gè)GaN相關(guān)項(xiàng)目的實(shí)施主體分別為遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)、江南大學(xué)，合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

●遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)GaN射頻項(xiàng)目

1月9日，蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司對(duì)外公示了《年產(chǎn)GaN及LDMOS射頻高功率半導(dǎo)體封裝器件100萬(wàn)顆項(xiàng)目》的環(huán)保驗(yàn)收情況，公示期為2024年1月4日-2月1日。

據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資3500萬(wàn)元，建設(shè)于蘇州工業(yè)園區(qū)，項(xiàng)目建成后，將年產(chǎn)100萬(wàn)顆GaN及LDMOS射頻高功率半導(dǎo)體封裝器件。

蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司成立于2008年8月，主要從事射頻高功率LDMOS半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。“行家說(shuō)三代半”了解到，蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技的主要供應(yīng)商是蘇州英諾迅科技股份有限公司。

●江南大學(xué)獲批GaN重點(diǎn)項(xiàng)目

近日，江蘇省2023年度項(xiàng)目立項(xiàng)名單公示，其中江南大學(xué)“氮化鎵微波毫米波無(wú)線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項(xiàng)目獲得立項(xiàng)，項(xiàng)目總預(yù)算2500萬(wàn)元，省財(cái)經(jīng)費(fèi)支持1000萬(wàn)元。

據(jù)介紹，該項(xiàng)目由江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院敖金平教授團(tuán)隊(duì)牽頭組織，聯(lián)合蘇州實(shí)驗(yàn)室、蘇州納維科技有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、無(wú)錫華潤(rùn)安盛科技有限公司、南京大學(xué)、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無(wú)線能量轉(zhuǎn)換芯片相關(guān)方面取得突破性進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)從“實(shí)驗(yàn)室”走向“生產(chǎn)線”。

目前，江南大學(xué)建有寬帶隙/超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實(shí)驗(yàn)室，擁有材料生長(zhǎng)和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、磁控濺射臺(tái)、快速熱退火系統(tǒng)等全套工藝設(shè)備，具有完整的材料生長(zhǎng)、器件制備及測(cè)試評(píng)價(jià)能力。

2024年以來(lái)

還有3起GaN項(xiàng)目公布動(dòng)態(tài)

今年1月，國(guó)內(nèi)還有3起GaN項(xiàng)目同時(shí)迎來(lái)新動(dòng)態(tài)：

● 芯睿半導(dǎo)體氮化鎵晶圓廠項(xiàng)目：該項(xiàng)目簽約落地福州新區(qū)，由福建芯睿半導(dǎo)體有限公司建設(shè)。目前該項(xiàng)目還未披露更多信息，“行家說(shuō)三代半”將持續(xù)跟進(jìn)該項(xiàng)目進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注。

● 福州半導(dǎo)體氮化鎵外延片項(xiàng)目：該項(xiàng)目簽約落地福州新區(qū)，由福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司建設(shè)，主營(yíng)第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn)，預(yù)計(jì)投入10億元，用地86畝，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬(wàn)片，產(chǎn)值數(shù)十億元，上市市值可達(dá)數(shù)百億元。

● 國(guó)微納總部項(xiàng)目：該項(xiàng)目簽約落地蘇州高新區(qū)，由蘇州國(guó)微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司建設(shè)，總投資近7億元，旨在打造第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備總部基地。

審核編輯：劉清