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IGBT是由4個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS) 柵極的電壓進行控制。雖然第三代寬禁帶技術碳化硅正獲得越來越多的關注，但許多應用仍適合繼續使用IGBT， 在技術的不斷發展和升級下，IGBT可實現更低的開關損耗和更高的功率密度。

全新第7代1200V IGBT

安森美(onsemi)推出的超高能效明星IGBT，具備業界領先的性能水平，能最大程度降低導通損耗和開關損耗，助力客戶的系統設計。一起來看看吧~

全新FS7 S系列采用新穎的場截止第7代IGBT和二極管技術，集成一個經優化的二極管以實現低VF 、微調的開關軟度，可在高達175°C的結溫 (T_J) 下工作。FGY140T120SWD在市場上現有的1200V IGBT中具有領先的開關性能。

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儲能系統方案

電池可以用來儲存太陽能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。

了解電池儲能系統 (BESS) 的設計挑戰和考慮因素、常用拓撲結構以及選擇最適合您要求的電源轉換半導體器件的技巧。

?設計技巧掃碼解鎖

首次精確仿真

Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程師在開發周期的早期階段，通過對復雜電力電子應用進行系統級仿真，獲得有價值的參考信息。

Elite Power仿真工具通過引領業界的PLECS模型推動先進技術的發展，這些模型適用于DC-DC LLC和CLLC諧振、雙有源橋和相移全橋等硬開關和軟開關應用。

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150V N溝道MOSFET

屏蔽柵PowerTrench

安森美屏蔽柵 PowerTrench MOSFET將導通電阻降至盡可能低，并通過領先的軟體二極管保持卓越的開關性能。與其他MOSFET相比，這些MOSFET的Q_rr更低。

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IGBT模塊A-Type NPC

1000V, 800A IGBT

NXH800A100L4Q2包含一個A-Type NPC級，集成1000V FS4 IGBT、1000V極快二極管和一個NTC熱敏電阻。

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