新竹科技園區(qū)主管在聲明中披露，臺積電預計從2024年4月起開始在該園區(qū)安裝2nm晶圓廠設備。盡管尚未有官方通報確認這一消息，但它很可能標志著臺積電N2（2nm）項目取得重大突破，因為該公司至今從未公開宣布具體投產(chǎn)時間。

有媒體報道表示，盡管這僅僅是個開始，但設備進場標志著晶圓廠建設的關鍵階段，因為裝備一家晶圓工廠需要大約一年時間。為支持臺積電N2工藝生產(chǎn)線，這家公司將需要大量阿斯麥爾股份有限公司（ASML）研發(fā)的雙束NXE極紫外線（EUV）***設備。這些設備將交由臺積電與ASML聯(lián)合安裝并核實，這無疑會進一步拉長建設周期。

無意外的話，臺積電有望在2025年下半年啟動投入N2工藝生產(chǎn)的晶圓廠，正符合該公司此前宣布的大規(guī)模生產(chǎn)2nm工藝的預定時間。

按照早前業(yè)內(nèi)信息顯示，寶山新竹2nm晶圓廠初始月產(chǎn)量約為3萬片；高雄2nm晶圓廠則有望引入采用背供電技術的N2p（2nm加強版）制程，同樣預期初始月產(chǎn)量也是3萬片左右。

臺積電在法說會上曾透露，其已成功開發(fā)出N2背面配電線路（backside power rail）解決方案，特別適合高性能計算（HPC）等領域應用，相較基礎技術，這項創(chuàng)新可使速度提高10至12%，邏輯密度增加10至15%。他們希望能在2025年下半年向客戶全面推廣背電線路，并在2026年實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

關于前沿技術發(fā)展規(guī)劃，在 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的“邏輯的未來”小組討論中，臺積電分享了其1.4nm級制造技術的研制進展，并將其命名為“A14”。從現(xiàn)有供應鏈評估來看，臺積電可能選擇在高雄設立1.4nm晶圓廠。