一、寫在前面的幾個概念：

MOS管輸出特性曲線

①輸出特性曲線：固定VGS值，且數值大于閾值電壓時，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。

②閾值電壓Vth：當半導體層處于臨界反型時，施加在MOS管柵電容兩端的電壓值。

③輸出電流電壓關系表達式：

二、特性曲線各區詳解

MOS管三種狀態下示意圖：線性區；臨界飽和區；飽和區

線性區：當源漏電壓VDS較小，柵源電壓VGS和柵漏電壓VGD的值均遠大于Vth，此時整個溝道中的各處電子均勻的分布，在溝道中各點電位是從漏端到源端逐漸降低，柵極與溝道層各點的壓差始終大于Vth，因此溝道層始終處于反型狀態。

同時溝道層與襯底形成的耗盡層寬度是逐漸減小的（PN結兩端反偏電壓越大，耗盡層寬度越大，圖中粉色斜杠部分為耗盡層）。隨著VD的增大，

飽和區：繼續增大VD，當其增大到與柵極電壓VG的壓差VGD=Vth時，漏端和襯底的接觸點正好處于反型為N+溝道的臨界點A。繼續增大VD，會導致VGD

即使VD的值一直增大，增大的電壓部分會落到耗盡層上，即漏端-臨界點位的電壓差VDA會一直增大，那么耗盡層的寬度會逐漸變寬，臨界點A點會逐漸向源端移位，但是VA和VS之間的電壓是恒定的，那么流過溝道中的電流基本是不變的。