上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在的倍數關系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。同時，增益是隨BJT集電極和發射極之間的電壓（）變化而變化的，因此飽和電流也會隨電壓（）變化而變化。回顧“IGBT的若干PN結”一章中關于PNP增益的討論，。這里我們簡化分析過程，假設注入效率,即。的表達式為：

其中，為非耗盡區寬度，為雙極型載流子擴散長度。

顯然，隨著的增長，耗盡區會擴展，相應非耗盡區寬度會減小，就會增大，IGBT的飽和電流也會隨之增大。回顧“IGBT的若干PN結”一章中關于PN結的討論，耗盡區寬度與外加電壓的關系如下：

因為p-base濃度遠高于n-drift區域的濃度，因此耗盡區將主要集中于n-drift區域。忽略分子括號中的，假設芯片厚度為，并將替換成，那么就可以得到與之間的關系如下：

將代入飽和電流的表達式，如下：

之所以要整理這個表達式，原因在于電阻是電壓與電流之比，所以必須找到增益與電壓之間的關系，利用非耗盡區寬度可以建立起兩者之間的聯系。根據上述表達式，并假設IGBT飽和之后的電阻為，那么

將表達式帶入上式，就可得到IGBT電阻與電壓之間的關系，如下：

該表達式略顯繁瑣，但推導過程并不難，感興趣的讀者可以嘗試自行推導一下。下面我們看一個實際案例，了解IGBT飽和電流之后的增益、體電阻隨電壓的變化趨勢。

舉例：假設IGBT芯片厚度120μm，元胞周期5μm，溝道深度3μm，柵氧厚度120nm，溝道載流子壽命10微秒，溝道電子遷移率，閾值電壓為5V，柵極施加電壓為15V。計算非耗盡區寬度、增益以及體電阻隨的變化趨勢如下面三個圖所示。可以看出來，隨著從50V升高至500V，非耗盡區寬度從約90減小到近30，相應的BJT增益從約0.15增大至超過0.7，電阻也減小了近10倍。所以，對于MOS器件來說，IGBT飽和電流隨的變化要比MOS器件更明顯。

需要注意的是，隨著電壓的增加，MOS溝道兩端所承受的電壓也會增加，回顧“IGBT中的MOS結構”一章，這會導致溝道縮短，這也會進一步地導致飽和電流值增大。