功率半導體解密

功率半導體是什么？

功率器件是功率電子器件的核心，特指轉換并控制電力的功率半導體器件。電 力有直流電（DC）、交流電（AC）之分，有電壓、電流大小和頻率的區別。電 力轉換包括轉換一個或多個電壓、電流或頻率。“功率控制”指控制輸入和輸出 的功率大小。核心是使用最小的輸入控制功率保證輸出功率的大小和時延。

基本的電力轉換的四種方式

1、變流器（DC/AC）

變流器把直流電轉換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產品中， 如供電電路中的電壓波動整形、產生變頻輸出功率來控制電機轉動速度，后者 在變頻空調、無級變速電機中的應用很廣泛，在功率消耗方面由于傳統的電機 控制。

2、整流器（AC/DC）

整流器把交流電轉換成直流電。有時候會用轉換器這個詞，但轉換器更多用來 指代所有的功率轉換器件。

3、DC/DC 轉換器

DC/DC 轉換器通過把直流電切割成電脈沖，從而控制輸出電壓和電流大小。一 種可替代的方法是使用變流器把直流電轉換成交流電，再使用穩壓器來調整電 壓，最后使用整流器把交流電轉回直流電。

4、變頻器（AC/AC）

變頻器把交流電從一個頻率轉換到另一個頻率，有周波變頻器和矩陣變頻器。也可以使用交流電功率穩壓器，通過改變交流電源的相位來改變輸出的交流電。

所有的轉換器都有一個共同的目標，就是實現 100%的能量轉換率（轉換過程 中沒有任何能量損失）。換句話說，一個完美的轉化器在關閉的時候沒有任何的 漏電，在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉換的時候沒有任何的功率損 耗。在這個領域的技術和材料的創新，都是為了提高能量轉換效率。

功率半導體的六大應用場景

在任何需要節能轉換和操縱電力的地方都需要功率半導體，主要包括六大大應 用場景：

1、電動汽車：

新增的功率半導體器件的性能和功率效率是電動汽車運行的關鍵。汽車的電氣 化使所需的電力部件價值增加了 5 倍以上。元件主要用于逆變器，將非常高的 能量電流引入汽車的電動機和電池充電器。

2、可再生能源發電：

可再生能源發電也需要高功率半導體，因為可再生能源不規則，需要高的發電 效率才能實現經濟可持續發展。以每兆瓦時為基礎，風電場需要比傳統燃煤電 站多 30 倍的功率半導體價值量。

3、工業和自動化：

使用 IGBT 的變速驅動器越來越多地取代工業應用中的傳統電機，因為它們可 以顯著提高能效。功率半導體對于工廠的進一步自動化也至關重要，“工業 4.0” 的革命在很大程度上取決于增加的功率和傳感器半導體內容，以驅動工廠的機 器人技術。

4、儲能：

可再生能源（特別是風能和太陽能）;取決于天氣和氣候，這固有地導致電網中 的能量波動。有效的能量存儲對于向可再生能源對總發電的更高貢獻的轉變至 關重要，并且需要再次有效地轉換電能，即功率半導體。

5、數據中心和服務器：

功率半導體在優化數據中心的能源使用方面發揮著核心作用，用于整流，電池 充電和 DC / AC 逆變。專門研究超大規模環境，本地化備用電源（所謂的“電 池架上電池”）增加了服務器機架內部功率半導體元件的使用。未來的發展，包 括氮化鎵的使用和能量比例計算將繼續增加數據中心中功率半導體使用的廣度。

6、消費類電子產品/白色家電：

功率半導體是每款智能手機的核心;它們控制充電機制，功率輸出和能效。在白 色器具中，優化的感應技術例如在烹飪用具使加熱更快更均勻，同時使用更節 能。功率半導體也是“智能”白色家電的核心。

功率半導體的種類及比較

功率半導體從器件工作原理來看可以分為：二極管，晶閘管，MOSFET，以及 IGBT。

四種主要的功率半導體器件

二極管

二極管是用半導體材料（硅、硒、鍺等）制成的一種電子器件。它具有單向導電性 能， 即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。當給陽極和陰極 加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的 接通與斷開。

晶閘管

晶閘管設計用于在高電流和高電壓下工作，并且通常用于 AC 電流到 DC 電流的整流以及 AC 電流到不同幅度或頻率的整流。我們通常將晶閘管分為以下幾 組：可控硅整流器（通常稱為晶閘管）和柵極關斷晶閘管（GTO），它們是高功 率器件，與常規晶閘管相比，可以通過門信號。

MOSFET

MOSFET 和標準雙極晶體管之間的基本區別在于源極 - 漏極電流由柵極電壓 控制，使其工作比需要高基極電流導通的雙極晶體管更節能。此外，它具有快 速關閉功能，允許其以高頻率切換。最后，MOSFET 不易受“熱失控”的影 響，因此特別適用于家用電器，汽車和 PC 電源的電源設計。

IGBT

IGBT 將雙極晶體管的某些特性與單個器件中的 MOSFET 的特性結合在一起。IGBT 與 MOSFET 有顯著差異，制造起來更具挑戰性。最大的差異是在上圖中 顯示的 N 源極/漏極下的附加 P 襯底，其阻止反向電流流動。展品 8-9）

IGBT 器件可以處理大電流（如雙極晶體管）并受電壓控制（如 MOSFET），使 其適用于高能量應用，如變速箱，重型機車，大型船舶螺旋槳等。

功率半導體的性能差異比較

在實際使用中，功率半導體根據器件的實際性能差異應用于不同的場景，并且 可以選擇選擇分立器件和模組兩種封裝形式。

二極管和晶體管的性能差異：

二極管和晶體管的關鍵功能是相同的–控制開關的開/關功率（電）。二極管和二 極管之間的主要區別之一晶體管是二極管將交流電（AC）轉換成直流電（DC） 晶體管將輸入信號從低阻電路傳輸到高電阻電路。二極管也稱為晶體二極管， 因為它是由晶體（硅或鍺）。它是一個兩端子設備，當正極電源端子連接到 p 型 區域，負極端子為連接到二極管的 n 區域。

晶體管具有三個區域，即發射極，集電極和基極。發射器是重摻雜，以便它可 以將重的帶電粒子轉移到基極。的基礎晶體管尺寸更小，摻雜更輕，從而電荷 載流子容易移動從基地到集熱區。集電極是晶體管的最大區域，因為它可以消 散基極-集電極結處產生的熱量。總的來說，晶體管器件是現代集成電路產業的 根基，這要歸功于其更全面的功能。

晶閘管/MOSFET/IGBT 的比較：

晶閘管：通過電流控制電流，頻率低，

MOSFET：電壓控制電壓，頻率高，mos 管的最大劣勢是隨著耐壓升高，內阻 迅速增大（不是線性增大），所以高壓下內阻很大，不能做大功率應用。mos 開關速度快，意味著開關損耗小（開關發熱小），同樣電流導通壓降低，意味著 導通損耗小（還是發熱小）

IGBT：電壓控制電流，頻率適中，在低壓下 igbt 相對 mos 管在電性能和價格 上都沒有優勢，所以基本上看不到低壓 igbt，并不是低壓的造不出來，而是毫 無性價比。在 600v 以上，igbt 的優勢才明顯，電壓越高，igbt 越有優勢，電壓 越低，mos 管越有優勢。所以高壓下 igbt 優勢明顯，既有高開關速度（盡管比 mos 管慢，但是開關比三極管快很多），又有三極管的大電流特性。

分立器件和模組的比較

功率半導體器件或者作為單個器件封裝在單個封裝中（分立器件），或者與模塊 中的其他半導體器件（模塊）集成。下面是兩個類別的概述：

分立器件：

在典型的電源中，需要許多單個半導體器件，或“分立”。集成許多不同的組件 可能具有挑戰性，每個組件都增加了系統的復雜性。但是，分立元件的成本低 于集成模塊，可以輕松集成到定制系統中，并且可以在發生故障時輕松更換。

功率模塊：

功率模塊通常提供更好的功率密度，并且比一系列分立器件更可靠 - 因為此類 模塊通常用于需要長時間高可靠性的系統，例如風力轉換器，太陽能系統等。

功率半導體制造工藝

前端晶圓制造工藝

功率半導體需要在薄晶圓上制造。當電流流過半導體器件時，各層硅的厚度增 加導致飽和電壓增加和開關損耗增加。這兩個因素都對功率半導體器件的性能 有害，主要是因為它們導致能量損失和發熱。因此，薄晶圓的制造至關重要： 它可以提高電源效率，并更好地散發元件產生的熱量。

由于功率半導體需要不同的 CMOS 半導體材料和工藝;他們需要專門的晶圓廠。這意味著功率半導體的規模對于建立具有成本效益的前端制造能力至關重要。

后端封裝工藝

所謂封裝是將前端操作中制造的芯片“封裝”到電源組件中的過程在專用的后 端設備中進行。功率密度是半導體元件的主要競爭特征，并且元件的熱性能是 實現更高功率密度的最重要的杠桿。因此，部件的封裝質量是功率部件差異化 的關鍵因素。

功率半導體產業鏈梳理

功率半導體發展歷史

功率半導體最早出現在 1950 年代，1956 年美國貝爾實驗室發明了晶閘管，并 在 60 年代得到廣泛應用；1980 年后逐漸發展出功率各種新型晶閘管，單極性 MOSFET，雙極性 MOSFET；90 年代研發出 IGBT，此后逐步出現功率模塊和 集成功率器件。目前功率器件主要以 Si 基材料為主，包括 SOI 高壓集成電路， 隨著第三代半導體的發展，以 SiC 和 GaN 為代表的寬禁帶半導體材料開始成為 功率半導體的新興材料。

功率半導體全球市場分析

近幾年全球功率半導體市場規模一直穩定在 150-200 億美元的水平，占到全球 半導體市場規模 5%左右的比例。其中絕大多數市場被國外廠商壟斷，包括英飛 凌， TI， NXP，日本瑞薩等，中國產品還有很大的替代空間，前十名廠商占 有 57%的市場份額。相對于集成電路行業， 分立器件市場集中度更低， 商業 生態壁壘不高。

功率半導體市場中，占比最大的企業是 infineon，19%；按照產品種類來劃分， 最重要的產品是 mosfet 和 IGBT。其他產品，BJT，晶閘管以及二極管等市場 非常分散且價值量較低。

從最主要的 IGBT 和 MOSFET 市場來看，Infineon 分別以 27%和 28%的市占 率位居全球第一的位置。其他公司，包括三菱電機，富士電機，Renesas 和 ST 也占據了較高的市場份額。不同于二極管市場和晶體管市場的高度分散化， IGBT 和 MOSFET 市場由于其技術門檻更高，具備更高的市場集中度。

根據 IHS 資料，2016 年 MOSFET 占晶體管總市場的 55％，其次是 IGBT 和 BJT 的 30％和 15％的份額。但是，IGBT 市場將在 2016-21F 年經歷更強勁的 增長，復合年增長率為 8％。主要驅動力來自工業和汽車領域，它們分別得益 于工廠自動化和汽車電氣化。對于 MOSFET，整個應用的需求和增長速度之間 更加平衡預計在2016-21F年復合年增長率為3％，這主要是由工業部門推動的。

功率半導體下游需求分析

電動汽車

功率半導體是電動汽車運行的關鍵，其性能和功率效率。普通傳統汽車的半導 體價值量約為 340 美元，主要產品是微控制器（78 美元），傳感器（44 美元） 和功率半導體（71 美元）。通常電氣化意味著功率半導體內容的價值在傳統汽 車和電動汽車之間增加了五倍多。

在傳統汽車中：功率半導體僅限于空調系統以及汽車的各種控制和執行器。這 意味著相對較小的部件和較小的成本。在電動汽車中，主要功率半導體元件變 為：為汽車的高扭矩電動機供電所需的轉換器，用于降低電池電壓的 DC / DC 轉換器，用于電池充電器的附加類似組件，特別高增壓要求。這些組件的質量 和性能是決定汽車性能的主要因素（更高的扭矩需要更強的轉換器）和功率效 率（更好的轉換器和充電器可帶來更高效，更快速的充電和更好的范圍）。

可再生能源發電

電場需要比傳統燃煤電站多 30 倍的功率半導體。在風力渦輪機中，功率半導體 在能量的產生，轉換和運輸中起著至關重要的作用。風力渦輪機中的功率半導 體的質量和可靠性要求特別嚴格，在惡劣環境中操作時，部件暴露于日常活動 的大波動（特別是這適用于暴露于鹽和濕度的海上渦輪機）。同樣，太陽能 發電和轉換也需要整個系統的功率半導體。太陽能系統中的功率半導體需要高 效，因為需要最小化開關損耗，而組件的可靠性和耐用性對系統的性能也是至 關重要的。

工業和自動化

使用 IGBT 的變速驅動器越來越多地取代工業應用中的傳統電機，因為它們可 以顯著提高能效。變速驅動器本質上是“節流閥”，可以精確控制工業電機，這 是當今最大的電力用戶。目前部署的大多數工業電機以固定速度轉動，并且只 能通過“制動”來減速，從而導致摩擦并因此導致效率損失。變速驅動器可以 更好地匹配扭矩和旋轉與負載要求，這樣可以節省約 20-30％的能源消耗，目 前大多數工業電機仍由傳統電機供電。

儲能

可再生能源（特別是風能和太陽能）; 取決于天氣和氣候，其固有地引起與電 網運行不直接相關的能量波動。因此，高效的能量儲存對于向可再生能源對總 發電的更高貢獻的轉變至關重要。能量存儲需要再次供電：電池充電器，逆變 器，用電池為電網供電。

數據中心和服務器

數據中心的用電量非常高，是其運營成本的重要因素。谷歌在其數據中心使用 足夠的能源來為 20 萬戶家庭供電。功率半導體在優化數據中心的能效方面發揮 著核心作用，從而降低了運營成本。在數據中心，功率半導體（IGBT 和 MOSFET） 用于整流，電池充電和 DC / AC 反相。

特別是在超大規模環境中（即谷歌和 Facebook 等人使用的數據中心），本地化 電源（所謂的“電池架上電池”）用于備用電源需求，而不是使用集中式 UPS， 這需要更多的功率半導體內容。根據微軟的說法，“架空式電池”的使用將數據 中心的占地面積減少了約 25％（不再需要建造一個獨立的房間，容納巨大的 UPS 電池），并將電源使用效率提高多達 15％。此外，它允許數據中心通過服 務器機架中的計算和存儲自動擴展電池備份容量。

消費電子/家電

功率半導體是每款智能手機的核心; 它們控制充電機制，功率輸出和能效。在 白色器具中，優化的感應技術例如在 烹飪用具使加熱更快更均勻，同時使用更 節能。功率半導體也是“智能”白色家電的核心。

全球功率半導體企業一覽

從經營規模和利潤水平來看，國內功率半導體企業和國外龍頭企業仍然有明顯 的差距。國際龍頭 Infineon2018 年營業收入達到 96.7 億美元，而國內最大的 功率半導體企業士蘭微 2018 年營業收入僅為 4.3 億美元。同時，國內大部分功 率半導體企業的盈利能力也明顯低于國外同行，僅有斯達半導，士蘭微，揚杰 科技的盈利能力接近國外競爭對手。而從產品類型來看，國外龍頭企業產品線 更加豐富同時高價值量的產品收入占比也更高。但是，隨著行業的長期景氣來 臨，我們認為國產功率半導體的持續增長趨勢明確，替代空間巨大。

國際龍頭功率半導體企業

Infineon

英飛凌科技公司于 1999 年在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司 之一。公司前身為西門子集團的半導體部門，于 1999 年獨立，2000 年上市。公司作為國際半導體產業創新的領導者，為有線和無線通信、汽車及工業電子、 內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方 案。

作為功率半導體領導者，英飛凌是市場上唯一一家提供覆蓋硅、碳化硅和氮化 鎵等材料的全系列功率產品的公司，擁有高性價比的第七代 CoolMOS、基于 第三代寬禁帶半導體的高性能 CoolSiC與 CoolGaN、以及支持更高頻率應 用的第六代 OptiMOS等豐富產品組合，從芯片技術層面提升電源效率。

Rohm

羅姆（Rohm）半導體集團是全球最知名的半導體廠商之一，公司于 1958 年作 為小電子零部件生產商起家，于 1967 年和 1969 年逐步進入了晶體管、二極管 領域和 IC 等半導體領域。公司產品涉及多個領域，其中包括 IC、分立元器件、 光學元器件、無源元件、模塊、半導體應用產品及醫療器具。

公司的重點業務之一為功率半導體，目前提供 MOSFET、IGBT、FRD 等分立 元件及柵極驅動 IC 等大量功率半導體器件。為滿足更廣泛用途需求，公司增加 SiC 產品開拓耐高壓器件市場。

On SEMI

On Semiconductor Corporation 安森美半導體創立于 1999 年。該公司及其子 公司從事節能電子驅動創新業務。公司的系列產品包括電源和信號管理、邏輯、 離散和定制設備，包括汽車，通信，計算機，消費，工業，LED 照明，醫療， 軍事飛機，航空航天，智能電網與電源的應用。公司設計，制造和銷售先進的 電子系統和廣泛的半導體元件，以解決設計組合的需要。

公司的電源管理半導體元件對不同的電子設備進行控制，轉換，保護和監控電 源。公司的定制的 ASIC，DSP，因其混合信號和先進的邏輯能力，成為許多汽 車，醫療設備，軍事飛機，航空航天，消費和工業領域的獨特產品。公司的數 據管理半導體組件提供高性能的時鐘管理和數據流管理，精密的計算和通信系 統。公司的標準半導體元件作為基礎組件存在于幾乎所有類型的電子設備。其 產品應用包括便攜式電子產品，電腦，游戲機，服務器，汽車和工業控制系統，LED 照明，電源，網絡和電信設備和自動化測試設備。

ST

意法半導體（ST）集團于 1987 年成立，是由意大利的 SGS 微電子公司和法國 Thomson 半導體公司合并而成。1998 年 5 月，SGS-湯姆森半導體公司將公司 名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一、領 先的集成設備制造商，為智能駕駛，智能工廠，智慧家居與城市和智能產品提 供關鍵解決方案。

公司擁有豐富的芯片制造工藝，包括先進的 FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）、 CMOS（互補金屬氧化物半導體）、差異化影像技術、RF-SOI （射頻絕緣層上硅）、 Bi-CMOS、BCD （Bipolar， CMOS， DMOS），Silicon Carbide（碳化硅）、 VIPower 和 MEMS 技術，在全球建立了巨大的前后工序制造網絡。

Vishay

Vishay Intertechnology， Inc.是一家分立半導體和無源元件的全球領先的制造商 和供應商。威世成立于 1962 年，公司開始以箔電阻及箔電阻應變計作為其最 初產品系列開展經營。1985 年，Vishay 開始了一系列戰略收購以使自己成為可 提供廣泛電子元件的制造商。

公司收購的分立電子元件頂級廠商包括達勒（Dale）、思芬尼（Sfernice）、迪勞 瑞（Draloric）、思碧（Sprague）、威趨蒙（Vitramon）、硅尼克斯（Siliconix）、通用半 導體（General Semiconductor）、BC 元件（BCcomponents）、貝士拉革 （Beyschlag）、國際整流器（International Rectifier）的某些分立半導體與模塊。威世品牌的產品代表了包括分立半導體、無源元件、集成模塊、應力感應器和 傳感器等多種相互不依賴產品的集合。

Vishay 生產多種分立半導體器件。這些產品通常執行單一功能，如開關、放大、 整流或傳輸電信號。此外，Vishay 還生產某些 IC，這些 IC 在單個芯片上結合 了多個器件的功能，同時，還生產在一個封裝內包含多個器件的模塊。Vishay 半導體產品包括 MOSFET（低壓、中壓和高壓）、IC（功率和模擬）、各種二極 管和整流器，以及多種不同種類的光電器件。

國內功率半導體企業

士蘭微

公司前身為杭州士蘭電子有限公司，于 1997 年 9 月 25 日成立。公司于 2003 年在上海證券交易所上市。公司坐落于杭州高新技術產業開發區。公司經營范 圍是：電子元器件、電子零部件及其他電子產品設計、制造、銷售；機電產品 進出口。主要產品包括集成電路、半導體分立器件、LED（發光二極管）產品 等三大類。經過將近二十年的發展，公司已經從一家純芯片設計公司發展成為 目前國內為數不多的以 IDM 模式（設計與制造一體化）為主要發展模式的綜合 型半導體產品公司。

士蘭微營收與凈利潤大體呈現增長趨勢，增加速率有所放緩。根據公司公布的 各年年報數據，士蘭微在 2018 年營業收入 30.26 億元，復合增長率為 10.36%， 歸屬于上市公司股東的凈利潤 1.7 億美元，年復合增長率 0.58%。

分立器件占比較較高。按照產品進行劃分，分立器件的銷售收入最高，2018 年 達到 14.75 億美元，同比增幅 28.6%，近四年來均超過 40%；集成電路的銷售 收入第二，數量上增加，比重上逐年略有下降。分立器件產品中，快恢復管、 MOS 管、IGBT、PIM 模塊等產品增長較快。集成電路產品中，LED 照明驅動 電路、IPM 功率模塊、MCU 電路、數字音視頻電路、MEMS 傳感器等產品的 出貨量保持較快增長。

士蘭微 19 年業績預減。公司預計 2019 年年度實現歸屬于上市公司股東的凈利 潤與上年同期相比，將減少 1.19 億元到 1.53 億元，同比減少 70%到 90%；預 計歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤與上年同期相比，將減少 1.39 億元到 1.73 億元，同比減少 154%到 193%。

業績下降的主要原因是受全球半導體行業增速放緩、產品研發和生產投入增加 等因素的影響。具體原因是：1.子公司杭州士蘭集成電路有限公司部分境外客 戶訂單數量減少；2.子公司杭州士蘭集昕微電子有限公司 8 吋芯片生產線仍處 于特色工藝平臺的建設階段，且調整了生產線上產品的結構，導致虧損加大；3. 子公司杭州士蘭明芯科技有限公司發光二級管芯片價格較上年同期下降了 20-30%，且加大了研發投入；4. 參股公司廈門士蘭集科微電子有限公司、廈 門士蘭明鎵化合物半導體有限公司加快推進項目建設，管理費增加。

揚杰科技

揚杰科技公司于 2006 年成立，2014 年創業板上市。公司集研發、生產、銷售 于一體，專業致力于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等高端領 域的產業發展。公司主營產品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、 大功率模塊、DFN/QFN 產品、MOSFET、IGBT 及碳化硅 SBD、碳化硅 JBS 等，產品廣泛應用于消費類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領域。

揚杰科技營收大體增加，凈利潤 18 年有所下降。營收方面，2018 年公司營收 為 18.53 億元，同比增速分別為 26.01%；凈利潤方面，2018 年凈利潤為 1.87 億元，同比增加率為-29.70%。2018 年系公司理財產品減值、產能利用率有所 下滑的影響，公司整體歸母凈利潤有所下降。

半導體器件是其最大的收入來源，公司毛利潤較高。從產品分類來看，公司 2018 年半導體器件銷售收入為 14.35 億元，占營業收入比例為 9.26%，鑒于下游應 用的穩定增長，其為公司的主營業務且比例基本維持在 80%左右。公司的毛利 潤較為穩定，體現出公司 IDM 模式各環節成本把控的優勢。

揚杰科技公司研發費用持續增加。2016 年、2017 年、2018 年研發費用分別為 0.50 億元、0.72 億元、0.96 億元，研發費用率分別為 4.19%、4.92%、5.20%。

捷捷微電

公司成立于 1995 年，以晶閘管起家，于 2017 年在創業板上市。公司專業從事 功率半導體芯片和器件的研發、設計、生產和銷售。主要產品為各類電力電子 器件和芯片。主要應用于家用電器、漏電斷路器等民用領域，無功補償裝置、 電力模塊等工業領域，及通訊網絡、IT 產品、汽車電子等防雷擊和防靜電保護 領域，保證工業發展和居民生活中電能使用及轉換的有效性、穩定性和可控性， 并在汽車電子、網絡通訊等新興電子產品中保護昂貴電路，提高產品的安全性。從 1999 年成功研制并銷售可控硅芯片至今，已經成為國內第二大晶閘管供應 商。

公司營收和歸母凈利潤均實現較快增長。在過去幾年，2016 年，2017 年和 2018 年分別實現營業收入3.32億元，4.31億元和5.37億元，同比增長率分別37.76%， 29.82%和 24.59%；2016 年，2017 年和 2018 年分別實現凈利潤 1.16 億元， 1.44 億元和 1.66 億元，同比增長率為 43.21%，24.14%和 15.28%。

公司毛利率、凈利率維持同業較高水平。公司具備芯片完整的研發體系，具有 設計、制造以及后道封裝、檢測能力，成本控制能力較強。2018 年公司毛利率 因為 IPO 募投生產線建設項目投產略有下降。

公司研發費用穩健增長。近幾年來，公司核心研發團隊穩定，研發能力優秀。公司研發費用持續增長，2016 年至 2018 年研發費用分別為 0.18 億元、0.21 億元、0.26 萬億元，占總收入的比重分別為 5.4%、4.86%和 4.85%。

華微電子

公司前身吉林市半導體器件廠成立于 1999 年，2001 年在上海證券交易所掛牌 上市。公司為國內功率半導體行業的龍頭企業。公司主要從事功率半導體器件 的設計、芯片加工、封裝及銷售業務，產品主要服務于家電、綠色照明、計算機 及通訊、汽車電子四大領域。公司現已成為中國最大的半導體分立器件制造基 地之一。

公司營收近些年較平穩，19 年營收預計減少。在 2018 年公司實現營收 17.09 億元，同比增長 4.55%，實現歸屬母公司股東的凈利潤 1.06 億元，同比增加 11.76%。公司業績預計減少 4，200.66 萬元到 7，300.66 萬元，同比減少 39.63% 到 68.87%。減少的主要原因是市場競爭加劇，公司應對外部市場形勢，為爭取 市場的份額，采取了銷售價格及銷售產品結構調整策略，產品獲利能力降低。

公司毛利率與凈利率較為平穩，半導體器件是其主要收入來源。2016 年-2018 年，公司毛利率分別為 19.59%，20.70%和 22.72%；2016 年到 2018 年，公 司凈利率分別為 2.64%，5.80%和 6.26%。半導體器件是公司的主營業務，近 年來均占營業收入的 90%以上。

華微電子研發費用略有增長。具體來看，近三年來，公司研發費用增速不明顯， 從 2016 年到 2018 年公司研發費用分別為 0.85 億元、0.97 億元、1.01 億元， 相應的研發費用率分別為 6.06%、5.95%、5.92%。隨著營業收入的逐年上升， 研發費用的占比略有下降。

斯達半導

公司成立于 2005 年 4 月，是一家專業從事功率半導體芯片和模塊尤其是 IGBT 芯片和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業，注冊資金 1.2 億元。公司主要產品為功率半導體元器件，包括 IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC 等等。公司成功研發出了全系列 IGBT 芯片、FRD 芯片和 IGBT 模塊，實現了進口替代。其中 IGBT 模塊產品超過 600 種，電壓等級涵蓋 100V～3300V，電流等級涵蓋 10A～3600A。產品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏 /風力發電、SVG、白色家電等領域。

營收增速加快，正在進入加速發展階段。公司的主營業務收入保持穩步增長的 趨勢。公司營業收入的增長不僅直接導致凈利潤增長，而且形成規模化效應， 促使公司凈利率逐年上升。

公司毛利率與凈利率平穩增長，IGBT 是其主要收入來源。公司主營業務收入 占營業收入的比例均在 99%以上，主營業務突出，其他業務收入較小。公司主 營業務收入主要來自于 IGBT 模塊的銷售。IGBT 模塊的銷售收入占主營業務 收入的比例均在 98%以上，其中 1200V IGBT 模塊的銷售收入占主營業務收 入的比例在 70%以上，是公司的主要產品。其他產品包括 MOSFET 模塊、整 流及快恢復二極管模塊等。

公司研發費用平穩增長。近幾年，公司研發費用呈現平穩增長趨勢，從 2016 年的0.29億元增加到2017年的0.49億元，相應的研發費用率為9.53%、8.77%、 7.26%。公司研發費用營收占比相較于行業的平均水平較高。

富滿電子

公司于 2001 年在廣東省深圳市成立，于 2017 年在深交所上市。公司目前的主 營業務為高性能模擬及數模混合集成電路的設計研發、封裝、測試和銷售。主 要產品包括電源管理、LED 控制及驅動、MOSFET、MCU、非易失性存儲器、 RFID、射頻前端以及各類 ASIC 等芯片，產品廣泛應用于個人、家庭、汽車等 各類終端電子產品之中。

近年公司營收增長，19 年預計凈利潤下降。2016 年-2018 年公司實現營業總 收入分別為 3.30 億元，4.40 億元，4.97 億元，同比增長 20.65%、33.40%， 12.95%。2018 年公司歸母凈利潤達 0.54 億元，同比增長為-7.90%，預計 19 年公司歸母凈利潤在 0.32-0.38 億元，比上年同期下降 40.94%-29.87%。利潤 下降主要是因為受全球經濟走勢疲軟、中美貿易摩擦等不利因素影響，電子元 器件產品市場價格整體下滑，導致公司產品毛利有所下降。

公司毛利率與凈利率基本平穩，19 年下半年較上半年有所改善。具體來看，毛 利潤保持在 30%左右，凈利率保持在 10%左右。19 年上半年毛利下降后，公 司積極開發新品，毛利率逐漸企穩回升，2019 年度下半年毛利率及凈利潤較 2019 年上半年及 2018 年下半年均有所提升。

公司研發費用投入繼續增加。公司研發費用從 2014 年的 0.20 億元增加到 2018 年的 0.45 億元，相應的研發費用率從 7.80%增加到 9.06%。公司研發費用的營 收占比逐漸增加表明了公司未來研發布局的積極。