四種半導體器件基本結構
四種半導體器件基本結構
按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結構單元：金半接觸、PN結、異質結、MOS結構。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結構的組合，比如BJT由兩個背靠背的PN結構成，MOSFET由MOS結構和兩對PN結構成。
金半接觸
由金屬和半導體接觸而成，根據接觸勢壘不同，可以分為整流特性的肖特基接觸和非整流特性的歐姆接觸。
PN結
由P型半導體和N型半導體接觸而成，具有單向導電的整流特性。
異質結
由兩種不同的半導體接觸而成，根據其禁帶寬度和摻雜濃度的不同組合，組合結構比較多，此處暫不贅述。兩種半導體的晶格常數必須盡可能匹配，否則缺陷會比較嚴重。
MOS結構
由金屬（也可以由導電的重摻雜半導體替代）-氧化物（也可由其他絕緣體替代）-半導體界面組成，在金屬和半導體兩端加上偏壓，可以改變半導體中的電荷分布從而影響半導體一側的導電性能。
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