IGBT器件的靈魂
根據施敏教授的拆分理論，器件由4個基本單元組成。
根據該理論，IGBT用到了3個基本單元：（a）金屬-半導體界面，（b）pn結（d）金屬-氧化層-半導體結構。
以下僅對（b）pn結進行展開。
pn結最重要的參數為 內建電勢 （built-in potential）Vbi，公式如下：
其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分別為P/N型摻雜濃度，ni為本征摻雜濃度。
耗盡層寬度公式如下（當NA＞＞ND時）：
當增加電壓偏執V后，耗盡層寬度公式如下：
PN處最高場強公式如下：
全文完，客官們輕拍！
并沒有達到想到的目的，待后續更新；
pn結作為基本單元，是玩器件的基礎。花點功夫，費點心思在上面是很值得的！！！
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
339文章
30751瀏覽量
264339 -
IGBT
+關注
關注
1288文章
4334瀏覽量
263101 -
PN結
+關注
關注
8文章
497瀏覽量
51696
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
奧特IGBT光耦AT314，輕松實現IGBT驅動隔離電路耐壓可達5000Vrms
隨著電力電子技術的飛速發展，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在電機控制、逆變電源等領域得到了廣泛應用。為了實現高效、穩定的IGBT驅動，AT314光耦作為一種優秀的隔離器件，在IGBT驅動
onsemi FGY140T120SWD IGBT：高性能功率器件解析
在功率電子領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是至關重要的功率開關器件，廣泛應用于太陽能、UPS（不間斷電源）和ESS（儲能系統）等領域。今天我們要詳細探討的是 onsemi 公司推出
華科智源IGBT靜態參數測試儀
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀一：IGBT功率器件測試儀主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測
IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機理相關性
一、引言 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子領域的核心器件，廣泛應用于新能源汽車、智能電網等關鍵領域。短路失效是 IGBT 最嚴重的失效模式之一，會導致系統癱瘓甚至安全事故。研究發現
IGBT靜態參數測試儀系統
HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試儀主要特點 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的
線上研討會 @6/26 KEC：電力分立器件專家，IGBT應用領域深度解析
在電子電路設計中，如何選擇合適的分立半導體器件？如何充分發揮IGBT的性能？這些問題是否困擾著你？作為一家擁有56年歷史的專業公司，KEC以其專注于電力分立器件的卓越表現，成為半導體領域的佼佼者
功率器件中銀燒結技術的應用解析：以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術向高頻、高效、高功率密度方向發展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝與連接技術中，銀燒結技術憑借其獨特的優勢逐漸
注入增強型IGBT學習筆記
為了協調IGBT通態特性與關斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強效應（Injection Enhancement Effect，IE），既可
IGBT模塊吸收回路分析模型
盡管開關器件內部工作機理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關斷時模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
IGBT器件的防靜電注意事項
IGBT作為功率半導體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施，確保其安全穩定運行。
功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例
IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件，具有結構簡單、容量大、損耗低等優點，被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離？
在探討電機控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅動為何需要隔離的問題時，我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機控制中的應用，進而分析隔離技術在其中的重要性。 IGBT是一種結合了MOS柵
MOSFET與IGBT的區別
(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗
發表于 03-25 13:43
功耗對IGBT性能的影響，如何降低IGBT功耗
在電力電子的廣闊領域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優劣直接關乎整個系統的運行效率與穩定性。而功耗問題，始終是IGBT應用中不可忽視的關鍵環節。今天，就讓我們一同深入探究
工商網監
評論