雪崩光電二極管是由日本工程師“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年設計的。雪崩光電二極管是一種非常靈敏的半導體探測器，它利用光電效應將光轉化為電。

在光纖通信系統中，使用雪崩光電二極管等單個組件將光轉換為電信號。在雪崩過程中，電荷載流子是通過碰撞產生的。光粒子狀光子會產生許多電子，進而產生電流。

什么是雪崩光電二極管

與其他二極管相比，使用雪崩方法提供額外性能的二極管稱為雪崩光電二極管。

雪崩光電二極管將光信號變為電信號，可以在高反向偏壓下工作。雪崩光電二極管的符號是類似齊納二極管。

雪崩光電二極管結構

PIN 光電二極管和雪崩光電二極管的結構相似，包括兩個重摻雜區和兩個輕摻雜區，重摻雜區域是 P+ 和 N+，而輕摻雜區域是 I 和 P。

在本征區中，與 PIN 光電二極管相比，雪崩光電二極管的耗盡層寬度相當薄。此處，p+ 區的作用類似陽極，而 n+ 區的作用類似陰極。

與其他光電二極管相比，雪崩光電二極管在高反向偏置條件下工作。因此，通過光撞擊或光子形成的電荷載流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光電二極管的增益提高數倍，以提供高靈敏度范圍。

工作準則

雪崩擊穿主要發生在光電二極管承受最大反向電壓時，該電壓增強了耗盡層之外的電場。當入射光穿透 p+ 區域時，它會在電阻極大的 p 區域內被吸收，然后生成電子-空穴對。

只要存在高電場，電荷載流子包括其飽和速度就會漂移到 pn+ 區域。當速度最高時，載流子將通過其他原子碰撞并產生新的電子-空穴對，巨大的電荷載流子對將導致高光電流。

雪崩光電二極管操作

雪崩光電二極管操作可以完全在耗盡模式下完成。但是，除了線性雪崩模式之外，它們還可以在蓋革模式下工作。在這種工作模式下，光電二極管可以在上述擊穿電壓下工作。目前正在推出另一種模式，即“亞蓋革模式”。

光纖通信中的雪崩光電二極管

在光纖通信 (OFC) 系統中，雪崩光電二極管通常用于弱信號的識別，但電路需要進行足夠的優化以實現高信噪比 (S/N)。這里，SNR 是為了獲得完美的信噪比，量子效率應該很高，因為這個值幾乎是最大值，所以大部分信號都被注意到了。

雪崩光電二極管特性

雪崩光電二極管是高度靈敏、基于高速的二極管，它通過施加反向電壓來工作的內部增益方法。與 PIN 型光電二極管相比，這些二極管測量低范圍光，因此用于需要高靈敏度不同的應用中，如光距離測量和遠距離光通信。

審核編輯：湯梓紅