據《日經新聞》獲悉，日本芯片制造商 Rapidus 和東京大學正在與法國研究機構 Leti 合作，共同開發使用 1 納米范圍技術設計芯片的基礎技術。

合作伙伴最早將于明年開始積極交換人員并共享技術。Leti將貢獻其在芯片組件方面的專業知識，以構建供應1納米產品的基礎設施。

Rapidus已經與IBM和比利時研發集團Imec合作，實現2027年量產2納米芯片的目標。預計1納米半導體最快將在2030年代進入主流。

與 2 納米相比，1 納米技術可將功效和計算性能提高 10% 至 20%。IBM 也在考慮在 1 納米領域進行合作。

跨越日本、美國和歐洲的跨境合作伙伴關系預計將為下一代芯片帶來穩定的供應鏈。

去年，Rapidus、東京大學和其他日本國立大學與日本理化學研究所聯合成立了尖端半導體技術中心（LSTC）。10 月，LSTC 與 Leti 簽署了一份諒解備忘錄，探討合作。

LSTC 和 Leti 希望建立設計采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導體所需的基本技術。制造1納米產品需要不同的晶體管結構，而在該領域，Leti在薄膜沉積和類似技術方面實力雄厚。

Leti牽頭研究新的晶體管結構，LSTC將合作評估和測試原型，以及派遣人員。

對于傳統的芯片元件結構，超過一定程度的小型化會降低功率效率并限制性能提高的范圍。日本在 1 納米范圍內的半導體設計開發方面沒有本土技術。

有鑒于此，Rapidus和其他日本利益相關者設想通過聯合研究和進口1納米設計技術與海外研究機構和公司建立關系。Rapidus于去年在日本政府的支持下成立，旨在重振國內芯片行業。

2000年代初期，日本啟動了多個旨在開發小型化技術的國家半導體項目，但均未能取得有意義的成果。由于巨大的成本負擔，日本大型電子制造商退出了先進芯片的開發。

目前，日本企業只能生產40納米工藝的半導體。

麥肯錫公司 (McKinsey & Co.) 表示，到 2030 年，全球半導體市場有望達到 1 萬億美元，而 2021 年約為 6000 億美元。各國正在激烈競爭大規模生產先進芯片。

全球領先的三星電子和臺積電預計將于 2025 年大規模生產采用 2 納米技術的半導體。生產 4 納米產品的英特爾計劃明年開始采用 1.8 納米工藝制造芯片。

Rapidus 將于 2025 年 4 月啟動一條生產 2 納米產品的試驗生產線。該公司計劃于 2027 年在北海道大規模生產半導體。

Rapidus 成立于去年 8 月，由豐田汽車和 NTT 等八家日本公司投資 73 億日元（4,850 萬美元）。經濟產業省正在向 Rapidus 提供 3300 億日元的補貼。