“服務器和存儲等高可靠性系統需要總線保護設計。傳統設計使用熱插拔控制器和外部分立 FET，然而越來越多的人并不選擇這種解決方案，取而代之的是由 eFuse 提供的更緊湊的解決方案。AOS 將 TrenchFET 技術與領先的 IC 設計相結合，可實現緊湊、強壯的 eFuse 方案”。

——AOS 功率 IC 資深市場總監 Peter Cheng

日前，集設計研發，生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片供應商，唯樣商城代理品牌Alpha and Omega Semiconductor Limited發布AOS首款 eFuse 方案，可用于服務器應用中的電源保護。AOZ18101DI系列是由緊湊的 3mm x 3mm DFN 封裝的 5A eFuse方案，采用 AOS 先進的多芯片封裝技術，結合了具有保護功能的高性能 IC 和我們最新的高安全工作區（ SOA）Trench MOSFET。新器件集成了低 RDS(ON) (20mohm) 背靠背 MOSFET，可在 eFuse 關閉時將負載與輸入總線隔離。

由于服務器產品的高可靠性要求，所有主路電源均由 eFuse 設備監控和保護，以保護主電源總線不會因故障條件下的異常負載而中斷。eFuse 持續監控經過電源開關的電流。如果電流高于設定的限值，eFuse開關會將電流限制在可允許的最大值。如果大電流負載持續存在，將關斷內部開關，保護下游器件負載免受損壞，也就是充當半導體保險絲的作用。

AOZ18101DI-01和AOZ18101DI-02集成了真正的反向電流阻斷 (TRCB)功能，即當輸出電壓高于輸入電壓時，進行反向電流保護。此集成IC可替代現有的通過外部 FET 實現 TRCB 功能的eFuse多分立器件方案，實（找元器件現貨上唯樣商城）現更高集成度。對于如硬盤驅動器和服務器風扇等具有高電感反沖的負載，AOZ18101DI-03和AOZ18101DI-04禁用了此 TRCB 功能，以避免由于反向電流而關閉輸入電源總線。所有器件都具有啟動 SOA 管理和其他保護功能，允許系統突然上電或熱插入 12V 背板。

技術亮點

工作范圍：3.5V 至 14V

22V 最大絕對值

導通阻抗：20mΩ 背靠背 MOSFET

保護功能：可編程過流保護、真正的反向電流阻斷（AOZ18101DI-01和AOZ18101DI-02）、欠壓閉鎖保護、過壓保護、熱關斷保護、可編程軟啟動、啟動 SOA 管理

3mm x 3mm DFN-10L封裝

審核編輯 黃宇