唐山晶玉榮獲2023-2024年度全國第三代半導(dǎo)體“最佳新銳企業(yè)”
2023年10月25日 - 2023全國第三代半導(dǎo)體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。
會議期間，評選出32家2023-2024年度最佳新銳企業(yè)。
全國第三代半導(dǎo)體年度最佳新銳企業(yè)評選活動，旨在發(fā)掘和支持我國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的創(chuàng)新型企業(yè)，推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30737瀏覽量
264156
原文標題：恭喜！唐山晶玉榮獲，2023-2024年度全國第三代半導(dǎo)體“最佳新銳企業(yè)”
文章出處：【微信號：today_semicon，微信公眾號：今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
晶能半導(dǎo)體榮獲縱慧芯光2025年度最佳交付支持獎
近日，晶能光電子公司晶能半導(dǎo)體榮獲國內(nèi)VCSEL激光芯片龍頭企業(yè)——縱慧芯光頒發(fā)“最佳交付支持獎
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立，當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù)，開啟了在
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
青禾晶元常溫鍵合方案，破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題
關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進封裝
芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎
2025年12月4日，深圳高光時刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標桿機構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認知
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
太極半導(dǎo)體榮獲加特蘭微電子“2024年度最佳供應(yīng)商”稱號
近日，太極半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(以下簡稱：太極半導(dǎo)體)再獲加特蘭微電子科技(上海)有限公司(以下簡稱：加特蘭)授予的“2024年度最佳供應(yīng)
大沖能源榮獲2024年度經(jīng)濟貢獻企業(yè)新銳獎
近日，大運河數(shù)智未來城高質(zhì)量發(fā)展大會在智慧網(wǎng)谷小鎮(zhèn)隆重召開。會上，浙江大沖能源科技股份有限公司憑借卓越的創(chuàng)新實力與突出經(jīng)濟貢獻，榮獲“2024年度經(jīng)濟貢獻企業(yè)
砥礪創(chuàng)新 芯耀未來——武漢芯源半導(dǎo)體榮膺21ic電子網(wǎng)2024年度“創(chuàng)新驅(qū)動獎”
2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024
發(fā)表于 03-13 14:21
工商網(wǎng)監(jiān)
評論