半導體產業在20世紀80年代開始于美國和歐洲，并且長期維持主導地位，并逐漸的變為一個全球性的產業。在20世紀70年代和80年代，1μm特征尺寸既是機遇也是挑戰。機遇是，隨著尺寸的不斷減小，一個速度和內存都大大提高的超大芯片的新時代近在眼前。

挑戰是傳統光刻技術的局限性，額外的layer，晶圓表面更多的層厚度變化，以及晶圓直徑的增加，等等。在20世紀90年代初，當50%的微芯片生產線在微米或亞微米水平上工作時，1μm的技術節點正式被越過。

該行業的不斷成熟也離不開對于傳統的制造和營銷問題的深入積累。早期，盈利策略是利用創新曲線。這意味著總是第一個研發成功的廠商(或接近第一個)擁有最新最好的芯片，這樣就可以獲得足夠的利潤來支付研發和資助新設計。然而，技術(競爭)的傳播和過程控制的改進使該行業更加重視生產問題。

生產率因素包括自動化、成本控制、過程表征和控制以及工人效率。晶圓廠的設備是十億美元級別(30億美元，而且還在上升)，設備和工藝開發同樣昂貴。制造特征尺寸小于0.35μm的芯片將需要大量且昂貴的傳統光刻技術或x射線和深紫外光刻技術的開發。

SIA路線圖(IRTS)的挑戰在于需要許多流程，下一代芯片的生產是未知的狀態。然而，好消息是，該行業正沿著一條進化曲線向前發展，而不是依賴于革命性的突破。工程師們正在從之前的生產過程中榨取每一點生產力，以尋找一個巨大的技術飛躍來解決問題。這是走向成熟產業的另一個標志。

一個主要的技術變革是銅線。鋁線在幾個方面受到限制，特別是在與硅的接觸電阻方面。銅一直是一種較好的導體，但很難沉積和定型。如果它進入硅片，它也是電路操作的殺手。IBM開發了可用的銅制程，用于連接高級芯片，這種技術的出現幾乎立即得到業內的認可。

納米時代

微技術在通俗意義上意味著小。在科學界，它指的是十億分之一。因此，特征尺寸和柵極寬度以微米表示，如0.018μm。但隨著尺寸的繼續減小，使用納米(1×10 -9 m)變得越來越普遍，從而使上述柵極寬度為180 nm。

通往納米未來的道路已經在SIA的ITRS中勾畫出來了。柵極的寬度為10nm，并且到2016年時，其相應的寬度將會更小。在這些級別上，設備的操作部分僅由少數原子或分子組成。實現這一目標并不容易。隨著設備尺寸的縮小，一系列可預見的事件將會發生。優點是科技加工出運行速度更快的晶體管和密度更高的芯片。

然而，更小的維度需要更干凈的環境、增加的過程控制、復雜的模式工具等等。晶圓直徑將超過450毫米，工廠自動化將達到工具到工具的水平，并進行板載過程監控。在更高的細節層次上，更多的工藝將需要更復雜的自動化和管理更高產量的晶圓制造工廠。這些大型工廠的價格將達到100億美元的水平。這種水平的投資將加快研發活動和工廠啟動的速度。

審核編輯：劉清