一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面臨著柵極耐壓、控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度等方面的問題，針對這些課題，羅姆推出了以下產品和技術。

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GaN HEMT驅動用

超高速柵極驅動器IC（單通道）

羅姆推出的BD2311NVX-LB（單通道）是一款非常適合用來驅動GaN HEMT的柵極驅動器IC。該產品不僅支持驅動GaN HEMT時的窄脈沖高速開關，而且還通過采用羅姆自有的過沖抑制電路，確保GaN的可靠性。

產品采用羅姆自有的驅動方式抑制柵極電壓過沖，對普通GaN HEMT很有效 (柵極耐壓6V)。同時支持通過高速柵極驅動產生窄脈沖，以超高速開關（納秒量級的脈寬）驅動GaN器件。還可與GaN HEMT組合使用，可實現目標器件高速驅動，示例：激光二極管的窄脈沖驅動點亮(LIDAR)。

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2

EcoGaN Power Stage IC

“BM3G0xxMUV-LB”

羅姆結合所擅長的功率和模擬兩種核心技術優勢，開發出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

該產品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。另外，還支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET/以下簡稱“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現更低損耗和更小體積。

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3

650V耐壓GaN HEMT

為了助力各種電源系統的效率提升和小型化，羅姆推出器件性能達到業界超高水平的650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。

該產品可以大大降低開關損耗，從而能夠進一步提高電源系統的效率。另外，該產品還內置ESD保護器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應用產品的可靠性。不僅如此，該產品還具有GaN HEMT器件的優勢——高速開關工作，從而有助于外圍元器件的小型化。

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4

羅姆確立可以更大程度激發GaN器件性能的

“超高速驅動控制”IC技術

針對如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。羅姆進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發GaN器件性能的超高速驅動控制IC技術。

目前，羅姆正在推動應用該技術的控制IC產品轉化工作，計劃在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過將其與羅姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相結合，將會為基站、數據中心、FA設備和無人機等眾多應用實現顯著節能和小型化做出貢獻。

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150V耐壓GaN HEMT

“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”

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該產品通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規的6V提高到了8V。這樣，在開關工作過程中即使產生了超過6V的過沖電壓，器件也不會劣化，從而有助于提高電源電路的設計裕度和可靠性。此外，該系列產品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型封裝，這使得安裝工序的操作更容易。

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今后，將會快速擴充GaN相關的產品陣容，包括GaN Device、GaN用柵極驅動器及相應Nano Pulse技術的電源芯片，以便進一步擴展羅姆半導體在功率系統方案的市場方向。

關于GaN產品和技術的更多信息，

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