霍爾電壓(一般稱霍爾電勢)的大小和方向與下述因素有關:
1、激勵電流I。
2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量B。
3、器件材料(決定靈明度系數K)。
4、霍爾電勢的方向還與半導體是P型還是N型有關,兩者方向相反。
設霍爾電勢為EH
則:EH=KIB
注:B為與電流垂直的磁感應強度分量。
當電流垂直于外磁場通過半導體時,載流子發生偏轉,垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場,從而在半導體的兩端產生電勢差,這一現象就是霍爾效應,這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應使用左手定則判斷。
審核編輯 黃宇
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霍爾電壓
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