點(diǎn)擊上方名片關(guān)注了解更多

今天聽從一個(gè)模擬集成電路大佬的建議，要把模擬集成電路的理論知識(shí)吃透，放大器是基礎(chǔ)要研究明白，在此之前不需要仿真做模塊啥的，要把基礎(chǔ)先打好！。

模擬設(shè)計(jì)面臨需要有趣和困難的問題，比如：晶體管的缺陷，電源電壓的降低，功耗，電路的復(fù)雜性，PVT的變化等等這些在設(shè)計(jì)前期就了解這些方面對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)的限制會(huì)對(duì)之后設(shè)計(jì)出更加合適的電路有幫助。

CMOS器件尺寸按比例不斷縮小提高了MOS的速度，在過去的60年里MOS晶體管的本質(zhì)速度超過了3個(gè)數(shù)量級(jí)，已經(jīng)可以變得可以和雙極型器件的速度相比較，逐漸占據(jù)模擬集成電路的主導(dǎo)地位。

下面是對(duì)模擬集成電路做的部分基礎(chǔ)性工作的學(xué)習(xí)筆記，如有錯(cuò)誤請(qǐng)批評(píng)指正！

作者|集成電路小剛

本號(hào)對(duì)所有文章陳述的觀點(diǎn)均保持中立，文章僅供讀者交流學(xué)習(xí)。資訊、圖片來源網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有，侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。

喜歡就關(guān)注咯！

關(guān)注我，回復(fù)【交流群】，加入內(nèi)部技術(shù)交流群。

碼字不易，“分享”、“收藏”、“贊”和“在看”支持下