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針對不同的終端應用(住宅、商業、公用事業)，有多種類型的太陽能逆變器(集中式、組串式、微型)。組串式逆變器以其靈活、易于維護的特點，正在成為主流太陽能逆變器類型。組串式光伏逆變器的單機故障對總發電量影響有限，其余逆變器可繼續照常工作。同時，更小的尺寸更易于安裝，無需重型機械即可完成安裝。隨著功率器件的不斷迭代，單組逆變器的功率水平/功率密度不斷提升，單價和體積越來越小，這推動組串式逆變器成為商用逆變器市場的主流選擇。

組串式太陽能逆變器典型框圖

功率器件是光儲充系統的核心器件，通過功率半導體開關器件的開通和關斷，把直流電轉換成交流電，最終實現并網。因此，光儲充一體化中涉及功率轉換的設備，轉換效率的可減小整個光儲充系統的損耗，功率密度的提升可有效減少設備的體積，降低系統的成本。

在功率器件中，IGBT模塊備受各行業青睞，它是由4個交替層(P-N-P-N)組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體(MOS)柵極的電壓進行控制。雖然第三代寬禁帶技術碳化硅正獲得越來越多的關注，但許多應用仍適合繼續使用IGBT，在技術的不斷發展和升級下，IGBT可實現更低的開關損耗和更高的功率密度。截止目前，安森美已推出了多款超高能效明星IGBT，具備業界領先的性能水平，能最大程度降低導通損耗和開關損耗，助力客戶的系統設計，例如第7代1200V IGBT FGY75T120SWD等。

使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V），而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其“拖尾電流”和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。安森美的 EliteSiC 技術專注于電動汽車與能源基礎設施這兩大關鍵應用領域，最新發布的下一代1200V EliteSiC M3S器件有助于提高開關速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來越多的800V電動汽車車載充電器和電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等能源基礎設施應用。

充電樁是用來給電動汽車補能的設備裝置，是新能源汽車發展路徑上必備的配套基礎設施，但充電樁的建設和發展，其實對電網是有沖擊的。例如對配電網負荷曲線的影響、對系統電壓偏差的影響、對系統網損增加的影響、對系統三相平衡的影響、對變電站供電范圍和短路容量的影響等。

同時，一款高集成度的功能安全合規型隔離式柵極驅動器，能夠助力工程師設計更高效的牽引逆變器，并更大限度地延長電動汽車行駛里程。安森美的隔離柵極驅動器針對SiC和GaN等技術所需的最高開關速度和系統尺寸限制而設計，為MOSFET提供可靠控制。