實驗名稱：功率放大器基于電場誘導的白光LED結構化涂層制備及其應用研究

研究方向：電場誘導結構制備工藝試驗研究

實驗內容：

本文主要圍繞：平面電極和機構化電極兩種電場誘導工藝進行試驗研究，在平面電極電場誘導工藝中探索電壓、電極間距、聚合物膜厚等參數對于成形形貌的二維分布影響。以增強光學散射性能為目的，基于基礎工藝研究開發無序微透鏡制備方法及粗造化多級結構制備方法，使結構表面形貌更為多變，并選取不同工藝參數研究其對聚合物最終成形形貌的影響，實現對成形結構的有效調節。在結構電極誘導中探究結構化電場中聚合物的成形規律及電極電壓、聚合物 初始膜厚、電極間距等工藝參數對成形結構形貌輪廓的影響規律。

測試設備：信號發生器、功率放大器、旋涂機、紫外固化燈、超井深顯微鏡、三維光學輪廓儀、掃描電子顯微鏡

實驗過程：

平面電極電場誘導工藝采用平行的平板電極作為電場激發裝置，通過均勻電場對聚合物表面的輕微熱擾動進行放大，在界面擾動生長競爭中，將有一特定波長的熱擾動生長率最快，最終占據主導優勢，以該波長為周期生長出相對無序的微納米柱結構。

信號發生器可激發方波、鋸齒、正弦等電信號函數，最大加載電壓幅值5V，通過功率放大器進行放大，放大倍數范圍為1-100倍，最高輸出電壓為1600Vpp，結合功率放大器作為實驗的電場激發電源。

針對電極電壓參數的研究試驗中，誘導過程分別施加200V、300V、400V、500V的電極電壓進行結構誘導成形。誘導過程均在30s內完成，隨著電壓的增大，結構生長成形速度越快。

實驗結果：

平面電極電場誘導過程中，柱結構首先在誘導區域的四個角落開始生長，隨后嚴重四個邊線延伸開并圍繞邊框分布，最后自外而內向中心區域包攏。電極電壓的大小在低電壓情況下對結構直徑及密度有較大的影響，電壓越大結構直徑越小、結構密度越大，高電壓情況下影響甚微；

不同電壓成形結平均直徑及相對密度柱狀圖

電場輔助微透鏡陳列成形工藝中，不同電壓波形對聚合物流變有不同的作用效果，主要體現在形貌調控極限的不同，其中適當頻率的方波電壓在同等幅值下比恒定電壓具有更好的形貌調控能力。

過高或過低的方波電壓頻率都會減弱電壓幅值對輪廓調控效果，在5Hz方波電壓下，透鏡結構的表面曲率和深寬比隨著幅值的增大而逐漸增大，幅值微180V時透鏡表面深寬比達到0.693，驗證了該工藝良好的形貌調控能力。