該 200 瓦 MOSFET 放大器電路基于傳統圖解：對稱差分輸入級、共源共柵級驅動器和 MOSFET 輸出級。它很容易用通用組件構建，而且價格便宜。該電路非常緊湊，由兩個子系統組成：控制級和輸出級。

該電路的功率輸出為 8 歐姆時 200 Wrms 或 4 歐姆時 350 Wrms。失真度小于0.02%，阻尼因數大于300，信號/噪聲比112 dB（全功率下平衡），輸入靈敏度為1.2伏（200瓦/8歐姆）。

T5 和T6 周圍承載+/-1 mA 的電流源。二極管D1至D6允許使用低噪聲型BC560C和BC550C晶體管，晶體管T7至T10是驅動級。電位器 P1 允許將每個輸出晶體管的靜態電流設置為 100 mA。

對稱功率委托給大型變壓器 625 VA、2 * 51 伏 + 橋式整流器和 4700 uF 電容器 6，從而為每軌提供 + 和 – 70 伏的輸出電壓。

筆記 ：

電容器 C3 未在圖表和 PCB 上重現（這是正確的）。

晶體管 T9 和 T10 必須組裝在熱阻為 5° c/w 的共用散熱器上或輸出級散熱器上。

PCB 的接地點和揚聲器接地點必須與 PSU 的 0 伏星形連接。

功率晶體管必須組裝在熱阻小于1°C/W的散熱器上。它們還必須使用云母絕緣體+導熱化合物或硅樹脂絕緣體與散熱器電絕緣。