国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

車規MOSFET技術確保功率開關管的可靠性和強電流處理能力

金鑒實驗室 ? 2023-08-22 08:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

當今時代,出行生態系統對汽車設計提出了持續的新挑戰,尤其對電子解決方案的規模,安全性以及可靠性等都提出了全新的需求。另外,由于汽車電控單元(ECU)增加了互聯和云計算功能,因此必須開發新的解決方案來應對這些技術挑戰。

高端車輛使用多達數百個ECU,這要求電源管理必須更高效,汽車電池和負載點之間的電源路徑更安全,以減少電子器件失效情況發生。用電子保險(eFuse)代替傳統保險絲,可以提高電氣安全性。傳統保險絲因導體過載時會過熱熔融,電子保險通過控制輸出電壓來限制輸出電流并向負載提供合適的電壓電流;當故障繼續發生后,負載連接最后被切斷。應對高能放電時,大電流用電環境對功率開關管有嚴格要求,所以需要具有魯棒性與可靠性的功率開關管。

大電流功率開關管

大電流功率開關管為低電阻MOSFET晶體管串聯在主電源軌上,通過邏輯電路對其進行控制,集多種保護,診斷,檢測等功能于一體。在大功率汽車電源系統中,通過背靠背連接的 MOSFET開關管,可以保證保險盒對電流雙向控制,為電源路徑提供強大的保護(圖 1)。

cd0997c0-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖1.雙向大電流功率開關保護配置


電阻器(RLIM)實時檢測電源軌電流,eFuse電子保險調整 MOSFET的柵源電壓(VGS),將電流限制在目標值,保持電流恒定。如果發生強過流或短路,控制器就會斷開負載,保護電源。

當負載打開后,eFuse根據預設值增大輸出電壓以保證涌流維持在安全的范圍之內,以保護負載及電源。這就對功率MOSFET提出了嚴格的要求,它們必須承受ECU輸入端的大容量電容器陣列在軟充電階段線性模式的恒定電流。

當負載斷開時,與連接主電池和終端應用負載的線束相關的寄生雜散電感釋放能量,功率 MOSFET處于電壓應力狀態。

總之,功率 MOSFET 必須滿足以下要求(表 1):

cd2ba068-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

表1.對功率MOSFET的要求


意法半導體最新發布的STPOWER STripFET F8 MOSFET技術充分滿足AEC Q101標準要求,反映出全部設計上的顯著改進,保證開關管的高能效、高魯棒性以達到安全、可靠開關性能。

STL325N4LF8AG 是一款 40V MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 無引線封裝,靜態導通電阻(RDS(on))不足一毫歐,小于0.75m?,因此,導通損耗非常低。

MOSFET選型關鍵參數

對于12V 鉛酸電池供電的傳統汽車負載,功率開關必須承受 ECU要求的高達 160 A 至 200 A 的連續電流,以實現 1kW 范圍內的功率輸出。

1.開通狀態

功率MOSFET在ECU輸入端大容量電容器陣列預充電階段除大電流外,還要承受軟點火需要恒定電流,本實用新型使得ECU輸入引腳處電壓升高光滑,避免了任何高壓振蕩以及電流尖峰現象。

可以用圖 2 所示的基準電路圖測試開關管在軟充電階段的魯棒性。

cd431856-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖 2. 軟充電魯棒性驗證基準電路

該電路可利用恒定電流給負載電容(CLOAD)進行充電:可通過調整V1電壓值和VDD電壓值來維持電流不變,以便給CLOAD設定具體的充電時間。測試電容為94mF堆棧電容、15V負載及電源電壓。

對于 STL325N4LF8AG,考慮了兩種不同的測量設置情況:

案例1:一個開關管,電流為1.7A,持續700ms;

案例 2:兩個并聯的開關管,每個開關的電流為 29A,持續 6ms。

圖 3 是案例1的線性模式操作的測量波形,圖4是案例2的線性模式操作的測量波形。

cd574722-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖3.軟充電期間的基準測試測量(案例1)

ce01a550-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖4.軟充電期間的基準測試測量(案例2)


在案例 1 中,使用接近直流操作的長脈沖時間測試功率開關的線性模式魯棒性。

在案例2 中,并聯的兩個功率開關管的柵極閾壓(Vth)值如下:

Vth1=1.49V@250μA

Vth2=1.53V@250μA.

Vth的閾值范圍被限定在一定范圍內( 3%),使兩個 MOSFET的電流差很小:

ID1=29A

ID2=28.5A

其中,Vth1的值較低,所以ID1 略高于 ID2。

在這種情況下(案例2),用大電流測試功率開關的線性模式魯棒性,脈沖時間持續幾毫秒。

在兩種條件下功率MOSFET均能經受線性模式的工況,且處于理論安全工作區域(SOA)以內,從而防止了器件的任何熱失控。

2.關斷狀態


關斷過程中功率MOSFET要經受很大能量放電應力。在實際應用中,將主電池與終端應用控制板相連的線束中,由于寄生雜散電感產生高阻抗而導致配電系統中發生了一個能量極大的放電事件。

在ECU電控單元情況中,這種能量釋放可以視為 MOSFET 關斷時的單次雪崩事件來處理,或用有源鉗位電路強制MOSFET回到線性工作模式。TL325N4LF8AG可以在40A的雪崩擊穿測試中保持正常工作,如圖5所示:

ce165478-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖 5. STL325N4LF8AG在關斷時單次雪崩事件的測量波形


該器件在關斷狀態時具有強大的能量處理性能。

符合ISO7637-2標準

對12V/24V汽車電源系統而言,eFuse電子保險開關管應符合ISO 7637-2等國際標準中的主要條款,能承受電源軌發生的急劇高低電能瞬變事件并在一定條件下伴有較高dv/dt電壓升高率。

1.ISO7637-2Pulse1標準


Pulse 1 標準描述了當電源連接斷開時,在與感性負載并聯的電子器件上觀察到的負電壓瞬變,如圖 6 所示。

ce418ef4-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.pngce58cbbe-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖 6. ISO 7637-2 Pulse 1 測試的電壓瞬變波形和參數。

圖 7 所示的測試結果證明,STL325N4LF8AG 符合 ISO 7637-2 Pulse 1標準要求:

ce6cb692-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖7.STL325N4LF8AG的ISO7637-2Pulse1測試的測量波形(右圖是放大圖)

實驗數據證明,STL325N4LF8AG 通過了 ISO 7637-2 脈沖 1 測試,沒有發生任何失效或主要額定參數降低現象。

2.ISO7637-2Pulse2°標準


Pulse 2a標準描述了當與被測電子器件并聯的電路電流中斷時可能出現的正電壓尖峰,如圖 8 所示:

ce94da8c-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.pngcea90610-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖8.STL325N4LF8AG的ISO7637-2Pulse2a測試的電壓瞬變波形和參數


圖 9 所示的測試結果證明,STL325N4LF8AG 符合 ISO 7637-2 Pulse 2a標準要求:

cec6a6ca-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖9.STL325N4LF8AG的ISO7637-2Pulse2a測試的測量波形(右圖是放大圖)


實驗數據證明,STL325N4LF8AG 通過了 ISO 7637-2 脈沖2a測試,沒有發生任何失效或主要額定參數降低現象。

3.ISO7637-2Pulses3a和3b標準


Pulses 3a 和 3b定義了受線束分布電容和電感的影響,在開關過程可能出現的負電壓尖峰,如圖 11 和圖12 所示:

cf1105d0-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.jpg

圖10.ISO7637-2pulse3a測試的電壓瞬變

cf231496-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.jpg

圖11.ISO7637-2pulse3b測試的電壓瞬變

表2列出了各項參數的測量值:

cf387624-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

表 2. ISO 7637-2 pulses 3a和 3b測試的電壓瞬態參數


圖 12 和 13是STL325N4LF8AG的ISO 7637-2 pulse 3a 和 pulse 3b測試相關的實驗數據:

cf4c89e8-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖12.STL325N4LF8AG的ISO7637-2pulse3a測試測量波形(右圖是放大圖)

cf7dbafe-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖13.STL325N4LF8AG的ISO7637-2pulse3b測試的測量波形(右圖是放大圖)

STL325N4LF8AG的pulse 3a和3b測試結果令人滿意。

4.ISO7637-2脈沖5a和5b(負載突降)

Pulses 5a,5b分別為負載突降瞬變電壓仿真試驗。負載突降是指在交流發電機產生充電電流的過程中,放電電池斷開連接,而其他負載仍與交流發電機連接的情況,如圖14和15所示:

cfb0419a-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖14.ISO7637-2pulse5a測試的電壓瞬變

cfc09a72-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖15.ISO7637-2pulse5b測試的電壓瞬變

表3列出了12V 系統的測試參數值:

cfcf4856-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

表3.ISO7637-2pulses5a和5b測試的電壓瞬態參數

圖 17和圖18所示是STL325N4LF8AG 的 ISO 7637-2 pulse 5a 和pulse 5b 測試的測量波形:

cfe57464-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖16.STL325N4LF8AG的ISO7637-2pulse5a測試的測量波形

d0018712-4082-11ee-ad04-dac502259ad0.png

圖17.STL325N4LF8AG的ISO7637-2pulse5b測試的測量波形

因此,STL325N4LF8AG 也可以為系統提供負載突降保護。

總結

STL325N4LF8AG采用意法半導體新開發的STripFET F8制造技術,為了處理eFuse電子保險應用中一切有關電壓應力情況所特別設計。電源關閉及開啟狀態下可承受有關電壓應力。另外,這種MOSFET已經過國際標準ISO 7637-2中對12V/24V車輛電池系統導通瞬變的檢測。同級別頂級性能,使得STL325N4LF8AG非常適合于苛刻的汽車應用條件下,設計出更加安全可靠的配電系統。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電流
    +關注

    關注

    40

    文章

    7212

    瀏覽量

    141227
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233575
  • ecu
    ecu
    +關注

    關注

    14

    文章

    983

    瀏覽量

    57277
  • 汽車
    +關注

    關注

    15

    文章

    4154

    瀏覽量

    41101
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiLM5852SH級隔離驅動:高CMTI+完善保護,滿足工業電源嚴苛需求

    AEC-Q100認證。 封裝形式:SOP16W封裝,符合工業標準引腳布局。 優勢 驅動能力精準匹配中功率應用:3A拉電流與6A灌
    發表于 03-04 08:49

    SiLM27531H級低邊單通道門極驅動器,為高效電源管理賦能

    /SiC等高驅動電壓應用)。 高驅動能力:峰值源電流和灌電流均高達5A,軌到軌輸出,確保功率器件快速
    發表于 02-28 08:54

    SiLM27213EN-DG集成自舉二極的大電流MOSFET驅動器,賦能高頻開關電源

    開關電源提供了創新解決方案,助力多領域技術升級。特性 集成高可靠性自舉二極:減少外圍元件,降低系統成本,提升整體方案
    發表于 02-26 09:09

    級低邊MOSFET控制器SiLM6481,靈活構建高壓高效開關電源

    到工業總線等多種電源場景。1.5A強驅能力確保外置MOSFET快速開關,提升整體轉換效率。 可靠安全,
    發表于 01-08 08:17

    如何測試單片機MCU系統的可靠性

    性。這是針對所有單片機系統功能的測試,測試軟件是否寫的正確完整。 2、上電、掉電測試。在使用中用戶必然會遇到上電和掉電的情況,可以進行多次開關電源,測試單片機系統的可靠性。 3、老化測試。測試長時間
    發表于 01-08 07:50

    級單通道低邊驅動器SiLM27531M,助力GaN/SiC功率系統高效運行

    ,SiLM27531M級低邊單通道門極驅動器。該產品支持30V供電,提供5A強驅動電流與納秒級傳輸延遲,具備優異的抗噪特性與負壓耐受能力,可高效、
    發表于 01-07 08:07

    SiLM27531HAC-7G高可靠性的高速單通道低邊驅動器

    電流和灌電流。具備極快的開關響應,典型上升/下降時間為9ns和8ns。 極低信號延遲:從輸入到輸出的開通與關斷傳播延遲典型值均僅為21ns,確保了對
    發表于 12-29 08:33

    SiLM27531H面向寬禁帶器件的高性能級低邊驅動器

    開關損耗,支持更高的工作頻率。 高可靠性與強抗擾:輸入與使能引腳兼容-5V負壓,并具有1V(典型值)的高遲滯閾值,能有效抑制噪聲干擾。內置欠壓鎖定(UVLO)保護,提供13.5V的典型閾值。
    發表于 12-26 08:20

    深度解析級低邊單通道門極驅動SiLM27531H

    工程師獨立優化導通和關斷的電流強度。強大的拉/灌電流能力確保功率管(尤其是大容量MOSFET
    發表于 12-12 08:39

    級與消費級芯片的可靠性、安全與成本差異

    引言在汽車電子和消費電子領域,"級"與"消費級"芯片代表了兩種截然不同的設計理念和技術標準。級芯片專為汽車應用設計,強調在極端環境下
    的頭像 發表于 11-18 17:27 ?1265次閱讀
    <b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規</b>級與消費級芯片的<b class='flag-5'>可靠性</b>、安全<b class='flag-5'>性</b>與成本差異

    SiLM27531HAC-7G級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護閾值的高速低邊門極驅動解析

    封裝,節省PCB空間,提升功率密度。 關鍵應用場景SiLM27531HAC-7G憑借其高速、強驅動力、可靠性和寬壓適應,是以下應用的
    發表于 08-09 09:18

    深度解析SLM345CK-DG 40V, 1.0 A 高性能、高可靠性兼容光耦的隔離柵極驅動器

    : 最小150kV/μs的共模瞬態抗擾度 (CMTI),確保功率開關瞬間產生的高dv/dt噪聲環境下穩定工作,大大降低誤觸發風險。2.革命的輸入級與
    發表于 07-21 08:56

    SLMi8233DDCG-DG雙通道隔離驅動器兼容Nsi6602CDWR——高可靠性半橋驅動的核心引擎

    風險,尤其適用于高頻開關拓撲(如LLC諧振變換器)。 抗噪與可靠性 100kV/μs CMTI抑制dV/dt噪聲引發的誤觸發,40V驅動電壓裕量+150°C結溫能力確保高溫高噪聲環境
    發表于 06-21 09:44

    從AEC-Q100看芯片的可靠性設計要點

    級芯片可靠性標準,旨在確保芯片能夠在復雜多變的汽車環境中穩定運行。本文將從AEC-Q100的角度出發,深入剖析芯片的可靠性設計要點,并結
    的頭像 發表于 03-25 21:32 ?1955次閱讀

    如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

    隨著電力電子技術的飛速發展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體MOSFET)因其優異的性能,如高開關速度、低導通電阻和高工作溫度,逐漸成為高頻、高效
    的頭像 發表于 03-24 17:43 ?2784次閱讀
    如何測試SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>柵氧<b class='flag-5'>可靠性</b>