碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。

為更好滿足工業客戶對于高功率密度的需求，基本半導體推出兼容EasyPACKTM 2B封裝的工業級全碳化硅MOSFET功率模塊PcoreTM2 E2B，該產品基于高性能 6英寸晶圓平臺設計，在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。

BMF240R12E2G3產品亮點

更穩定導通電阻：新型內部構造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的RDS(on)波動。

更優異抗噪特性：寬柵-源電壓范圍（Vgss: -10V~+25V），及更高閾值電壓范圍（Vth：3V~5V），便于柵極驅動設計。

更高可靠性：高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善長期高溫度沖擊循環的CTE失配。

應用領域：燃料電池DCDC、數據中心UPS、大功率快速充電樁等。

第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

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