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ADHV4702增大輸出電流后出現燒芯片問

想把運放 ADHV4702 的輸出電流增大到100mA，采用VP2540 和 VN2540 兩個 MOS 管，按照 datasheet 上的圖設計電路。仿真看不到問題。但是，在實驗中，ADHV4702 大概輸出電流 50mA 超過1分鐘就會燒芯片。已經燒了6pcs了，求幫忙。

答 你的R6太大了，改為39k試一試看。另外MOS的柵極需要電阻驅動，MOS同時需要增加過流保護，按照以下的電路修改再調試一下。

問

非常感謝您的建議！我馬上安排采購器件做實驗。另外，對于上面的電路圖，可以改成V-端輸入，V+端接地么？

答 你是想改成反相放大器結構吧？如果是改成反相放大器結構肯定也是沒有問題的。TOP-1_BoostCurrent_ADHV4702+MOS_PN100V_Tran-Sim.asc（點擊“閱讀原文”，前往原貼下載） 問

按照您的電路圖，功能仿真不對。是不是我哪個地方弄錯了？

答

你的PMOS 方向反了，IRF9640的S極鏈接R3。另外如果要繼續做板的話，建議你在運放的同相端和反相端之間加兩個BAV199做保護。你可以把你的具體需求告訴，我可以幫你繼續優化一下電路。但我想了解你這個電路應用場景是什么？

問嗯，實際電路中加了BAV199做保護，實際電路就是做一個正負10V正弦輸入，輸出正負100V驅動2k歐+6.8mH串聯的負載，驅動電流最大100mA。 答

你的帶寬要求多少？

問

1kHZ就可以。另外一個問題，剛才我把R6換成39k. 情況是好了很多，但是，在輸出50V以上時，仍然感覺芯片的溫度很燙。我想請教一下，芯片燒毀的原理是啥？是因為MOS管的大電流通過R6反饋到芯片輸出端？

答 ADHV4702自身承載的功率過高所致，MOSFET的柵極需要比輸出高出4V以上的閾值電壓才能工作，所以R6上的壓降會在4V左右，甚至更高。這樣你就知道了ADHV4702的輸出電流，即 4V/R6, 如果這個電流過高，乘以電源電壓與輸出電壓的壓差，基本就知道加載在放大器上的功耗了。

高壓的供電的放大器都會比較熱，這個是不可避免的，靜態功耗的電流乘以供電電壓就是這個放大器的靜態功耗。肯定比一般的放大器要高。

最好要加散熱器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散熱的，應該盡可能的連接更大的銅皮用于散熱。

如果是1kHz，你可以將C1改為100pF~470pF之間就可以滿足你需要的帶寬，需要注意的是C1的耐亞最好是實際承載電壓的2倍。比如你目前的輸出是+/-100V, 這個電容的耐壓最好選擇200V。 問

上述電路在0V輸出附近有這么一個奇變，這個應該是MOS管引起的。如果不提高輸出電流的話，沒有這個現象。麻煩問一下，這個問題該怎么解決？

答 我覺得這個可能是你導入錯誤的SPICE模型導致的問題，你的目標是要輸出正弦信號么？從原理上說這個電路通過負反饋實現正弦信號是沒有問題的。你可能需要用實際電路測試下來看是否有問題。 另外把原電路中 R10（Rsense）去掉，那個電阻我是用來采樣電流的，在你的實際電路中沒有意義，這個電路的輸出直接掛接你的實際負載即可。

問

目標信號是隨機的，是不是MOS管在輸出小電流的時候引起的？上升段和下降段都有這個問題。

答 是的，因為當電流很小的時候，ADHV4702輸出的電流流過39k那個電阻無法產生超過4V的閾值電壓，這樣MOSFET無法導通，使得在微電流的時候MOSFET處于截至狀態。這個電路的問題存在于MOSFET并不是一直處于導通狀態。 問

但是，ADHV4702本身具有10ma的輸出能力，在小電流的時候，MOS是否工作無所謂吧？發現把39k減小就沒事，是ADHV4702的驅動能力不夠？

仿真結果看，把39k換成10k，失真幾乎不可見。麻煩您看看，10k是否不會導致芯片燒毀，在輸出100V的時候。

答 我覺得這個是跟模型相關，未必是真實的情況，10k電阻原理上是不會導致芯片燒毀的，最終電路參考下圖：

階躍響應的輸出信號和R6上的瞬態電流情況參考下圖：

我覺得你需要最終搭建電路實際測試一下，看最終效果。*溫馨提示：提問需要問題清晰，目的明確；涉及到的產品、型號完整；對問題所在時的測試環境等描述清楚、詳細，并附上原理圖。這樣工程師才能準確的幫助到您哦~ 尋求技術支持

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