使用 MOSFET 進行過流保護 – 電路原理圖

電子電路必須具有過流保護，以防止大電流造成損害。由于開關(guān)時間快且導(dǎo)通電阻低，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）可用作過流保護電路中的開關(guān)。在本文中，我們將討論基于 MOSFET 的過流預(yù)防的簡單原理圖電路圖。

成分：

檢測電阻器 (Rs)：該電阻器用于測量流過電路的電流，與負(fù)載串聯(lián)。

比較器（運算放大器）：使用運算放大器將檢測電阻器兩端的電壓與參考電壓進行比較。

參考電壓（Vref）：過流檢測的閾值是預(yù)設(shè)電壓。當(dāng)檢測電阻兩端的電壓大于參考電壓時，比較器的輸出將改變狀態(tài)。

MOSFET（N溝道）：電路中的開關(guān)就是這個MOSFET。當(dāng)比較器的輸出為高電平時，MOSFET 導(dǎo)通，基本上切斷負(fù)載與電源的連接。

電路操作：

檢測電阻 (Rs) 產(chǎn)生的電壓與流過它的電流成正比。該電壓通過運算放大器與參考電壓 (Vref) 進行對比。當(dāng)負(fù)載電流在典型范圍內(nèi)時，Rs 兩端的電壓保持低于 Vref，運算放大器輸出保持低電平。

如果發(fā)生過流情況（例如短路或負(fù)載電流過大），Rs 兩端的電壓將超過 Vref。因此，運算放大器的輸出增加。 MOSFET 的柵極由該強輸出信號驅(qū)動，將其打開并切斷負(fù)載電流。

好處：

該電路非常簡單且價格實惠，因此非常適合各種應(yīng)用。

由于導(dǎo)通電阻較低，MOSFET 可以減少開關(guān)上的電壓驟降。

由于MOSFET的快速開關(guān)特性，響應(yīng)時間快。

筆記：

Rs 和 Vref 等變量的值將根據(jù)特定應(yīng)用的需求而變化。根據(jù)預(yù)期的負(fù)載電流和保護電路的靈敏度，設(shè)計人員應(yīng)選擇合適的值。在高功率應(yīng)用中使用電路時，還應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岷凸β士紤]因素。