近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，西安衛光科技有限公司器件研究中心工程師李樸帶來《600V超結MOSFET器件研究》的主題報告。詳細分享了600V 超結MOSFET研究過程與成果。

報告中介紹，隨著功率半導體應用領域逐漸擴大，當應用在計算機和航空電子等領域中時，低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統，從而降低整機尺寸和成本，所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。

而傳統功率MOSFET中擊穿電壓與導通電阻的關系，始終被限制在了“硅限”2.5次方，難以克服。為了能突破發展瓶頸，“超結理論”應運而生，極大的推動了功率半導體的發展。基于超結理論的器件能夠在保證擊穿電壓的同時，進一步提高N柱區摻雜濃度，從而減小通態電阻，將擊穿電壓與通態電阻的限制關系優化到1.3次方。

報告對SJMOS的基本工作原理進行分析，進而利用仿真軟件對600V SJMOS的元胞區工藝進行工藝仿真，并對其擊穿電壓、導通電阻、閾值進行了優化。最終得到元胞區仿真擊穿電壓722V，閾值電壓3.04V，特征導通電阻27mΩ?cm2。