HTR-4立式4寸快速退火爐

HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設備)廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產品的生產,和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中,通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能,技術指標高、工藝復雜、專用性強。
主要應用領域:
1.快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);
2.離子注入/接觸退火;
3.金屬合金;
4.熱氧化處理;
5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等);
6.多晶硅退火;
7.太陽能電池片退火;
8.高溫退火;
9.高溫擴散。
產品特點:
·可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。
·壓力控制系統創新設計:高精度控制壓力,以滿足不同的工藝要求。
·存儲熱處理工藝:方便工藝參數調取,提高實驗效率,數據可查詢。
·快速控溫與高真空:最高升溫速率可達150℃/s,真空度最高可達到10-5Pa。
·程序設定與氣路擴展:可實現不同溫度段的精確控制,進行降溫段的自動轉接,并能夠對工藝菜單進行保存,方便調用。采用MFC精確控制氣體流量,實現不同氣氛環境(真空、氮氣等)下的熱處理。
·獨特的腔體空間設計:保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%。
·全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現自動控制。
·超高安全系數:采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施,全方位保障設備使用安全。
·
·主要技術參數:
| 最大樣品尺寸 | 4英寸(直徑100mm) |
| 控溫范圍 | RT~1200℃ |
| 升溫速率(max) | 150℃/s |
| 高溫段降溫速率(max) | 1200℃/min |
| 控溫精度 | ±0.5℃ |
| 溫場均勻性 | ≤1% |
| 氣體流量 | 標配1路MFC控制(氮氣)可擴展至4路 |
| 壓力控制 | ~1bar,±100Pa |
| 工藝條件 | 支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛,一鍵設置通過軟件控制真空及通氣時間 |
審核編輯 黃宇
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一文詳解快速熱處理技術
HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設備)
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