隨著硅材料在半導體和光電子領域的應用日益廣泛，痕量金屬元素對材料性能和質量的影響越來越大，高精度的硅材料痕量金屬檢測方法顯得尤為重要。

季豐電子基于ICP-MS的硅材料痕量金屬檢測方法，具有高分辨率、高靈敏度和元素范圍廣泛的優勢，能夠同時檢測多種金屬元素，檢出限達到ppt（parts per trillion）級別，相當于從100萬立方米的水中測出1g物質。

季豐電子實驗室設備先進，擁有千級潔凈度的實驗環境，實驗員操作經驗豐富，實驗室體系運轉良好。

在樣品前，實驗室會使用G5級別超純酸前處理，金屬雜質含量低于10ppt以此保證前處理過程不受污染，確保樣品分析準確性。

在痕量金屬檢測方面，季豐電子CA實驗室能夠提供以下服務：

多晶硅、硅片表金屬及體金屬

雜質檢測

多晶硅、硅片是半導體制造的重要原材料，其中的金屬雜質對半導體器件的性能和穩定性有著重要影響。我們實驗室能夠對多晶硅、硅片表金屬以及體金屬雜質進行高靈敏度、高精度的檢測，可達到ppt級別的金屬雜質含量。

超純酸金屬雜質檢測

超純酸是半導體制造中常用的重要化學試劑，其中的金屬雜質會直接影響半導體器件的性能。我們實驗室能夠對超純酸中的金屬雜質進行檢測，檢測精度達到ppt級別。

其他半導體相關材料痕量金屬檢測

除了多晶硅、硅片和超純酸，我們實驗室還能夠對PE袋、手套、特種氣體等相關材料中的其他金屬雜質進行痕量分析，如鎢、銅、鐵、鎳等，檢測精度同樣可以達到ppt級別。

審核編輯：劉清