国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國芯思辰|N溝道MOS管PGT06N009助力BMS電路穩定提升,內阻0.67mΩ

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-07-18 10:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電池管理系統(BMS)是一種能夠對電池進行監控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對電壓、電流、溫度以及SOC等數據采集,計算進而控制電池的充放電過程,主要就是為了能夠提高電池的利用率,防止電池出現過度充電和過度放電。

眾所周知,MOSFET鋰電池板的保護作用非常大,它可以檢測過充電,檢測過放電,檢測充電時過電電流,檢測放電時過電電流,檢測短路時過電電流。對于這么核心的電池管理系統中的電路設計中,為了使可充電電池更具備長使用壽命,正確的充電電路設計與電子元器件器件選擇至關重要。

PGT06N009參數.png

本文推薦場效應管PGT06N009 MOSFET管來應用于BMS中,器件采用高壓器件的新技術,參數:422A、60V電流、電壓;RDSON@VGS=10V時,內阻為0.67mΩ,具有極低導通電阻和傳導損耗,100%雪崩測試。

最高柵源電壓(VGS):±20V,具有100%雪崩測試,EAS測試、可靠性高、低Qgd、低RDSon等特點。PGT06N009的封裝形式是TOLL,,儲存溫度范圍-55℃-150℃,目前已經廣泛用于應用于鋰電池保護板、儲能、電機驅動、低速電動車、服務器電源LED電源、PD快充及電動工具;園林工具,電源, 無人機等。

注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOS管
    +關注

    關注

    111

    文章

    2786

    瀏覽量

    76884
  • MOS
    MOS
    +關注

    關注

    32

    文章

    1741

    瀏覽量

    100707
  • bms系統
    +關注

    關注

    0

    文章

    28

    瀏覽量

    11064
  • 國芯思辰
    +關注

    關注

    1

    文章

    1184

    瀏覽量

    2373
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    選型手冊:VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體

    威兆半導體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
    的頭像 發表于 01-04 16:23 ?218次閱讀
    選型手冊:VSO<b class='flag-5'>009N06</b>MS-G <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強型功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    HC6N10成熟穩定量大加濕器專用MOS 6N10 100V6A 皮實耐抗惠海

    MOS的工作原理是基于在P型半導體與N型半導體之間形成的PN結,通過改變柵極電壓來調整溝道內載流子的數量,從而改變溝道電阻和源極與漏極之間
    發表于 12-30 11:19

    深入解析 NVMFS024N06C:高性能單通道 N溝道 MOSFET

    作為一名電子工程師,在設計電路時,選擇合適的 MOSFET 至關重要。今天我們就來詳細探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOS
    的頭像 發表于 12-01 14:02 ?441次閱讀
    深入解析 NVMFS024<b class='flag-5'>N06</b>C:高性能單通道 <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b> MOSFET

    合科泰TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優勢

    BMS、電機控制、電力開關的12V系統對低內阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設計的解決方案。而HKTD100N
    的頭像 發表于 11-26 09:44 ?852次閱讀
    合科泰TO-252封裝<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD100<b class='flag-5'>N</b>03的核心優勢

    80N06貼片MOS規格書

    80N06 TO-252貼片MOS規格書
    發表于 11-25 10:29 ?0次下載

    50N06 TO-252貼片MOS規格書

    50N06 TO-252貼片MOS
    發表于 11-24 16:53 ?0次下載

    30N06 TO-252貼片MOS規格書

    電子發燒友網站提供《30N06 TO-252貼片MOS規格書.pdf》資料免費下載
    發表于 11-21 17:18 ?1次下載

    25N06 TO-252貼片MOS規格書

    25N06 TO-252貼片MOS
    發表于 11-21 17:17 ?0次下載

    20N06 TO-252貼片MOS規格書

    20N06 TO-252貼片MOS
    發表于 11-21 17:15 ?0次下載

    HGE028N15L DCDC應用電路MOS的選型指南20-250V全系列低內阻MOS

    HGE028N15L DCDC應用電路MOS的選型指南20-250V全系列低內阻MOS
    發表于 10-30 09:13

    PD快充MOSHG5511D高性能低內阻SGT工藝應用方案 內阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝

    的一款高性能低內阻SGT工藝MOSHG5511D可應用于PD快充充電器同步整流位置,內阻僅11mΩ,可以解決充電器功耗大發熱的問題;超低的
    發表于 09-10 09:24

    合科泰N溝道增強型MOSFET HKTS80N06介紹

    合科泰HKT系列產品推出新品N溝道增強型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術,其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優化散熱,產品均符合RoHS環保標準,以低導通電阻和高電流承載,可適配封閉環境應用,如儲能電池包
    的頭像 發表于 08-12 16:54 ?1793次閱讀
    合科泰<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>增強型MOSFET HKTS80<b class='flag-5'>N06</b>介紹

    合科泰N溝道MOSFET HKTS80N06在儲能BMS主開關中的應用

    的要求。合科泰 HKTS80N06 N 溝道 MOSFET,以高耐壓、抗雪崩、低損耗特性,為儲能系統構建全鏈路安全屏障。
    的頭像 發表于 08-12 16:52 ?1778次閱讀

    100V15A點煙器N溝道MOSHC070N10L

    N溝道MOS(金屬-氧化物-半導體場效應晶體)是一種電壓控制型器件,依靠N型半導體中的電子導
    發表于 06-27 17:35

    MOS的工作原理:N溝道與P溝道的區別

    MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體)是現代電子設備中最常用的半導體器件之一。它通過電場效應控制電流的導通與截止,廣泛應用于放大、開關和信號處理等電路中。
    的頭像 發表于 05-09 15:14 ?2807次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的工作原理:<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>與P<b class='flag-5'>溝道</b>的區別