電池管理系統(BMS)是一種能夠對電池進行監控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對電壓、電流、溫度以及SOC等數據采集,計算進而控制電池的充放電過程,主要就是為了能夠提高電池的利用率,防止電池出現過度充電和過度放電。
眾所周知,MOSFET對鋰電池板的保護作用非常大,它可以檢測過充電,檢測過放電,檢測充電時過電電流,檢測放電時過電電流,檢測短路時過電電流。對于這么核心的電池管理系統中的電路設計中,為了使可充電電池更具備長使用壽命,正確的充電電路設計與電子元器件器件選擇至關重要。

本文推薦場效應管PGT06N009 MOSFET管來應用于BMS中,器件采用高壓器件的新技術,參數:422A、60V電流、電壓;RDSON@VGS=10V時,內阻為0.67mΩ,具有極低導通電阻和傳導損耗,100%雪崩測試。
最高柵源電壓(VGS):±20V,具有100%雪崩測試,EAS測試、可靠性高、低Qgd、低RDSon等特點。PGT06N009的封裝形式是TOLL,,儲存溫度范圍-55℃-150℃,目前已經廣泛用于應用于鋰電池保護板、儲能、電機驅動、低速電動車、服務器電源、LED電源、PD快充及電動工具;園林工具,電源, 無人機等。
注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOS管
+關注
關注
111文章
2786瀏覽量
76884 -
MOS
+關注
關注
32文章
1741瀏覽量
100707 -
bms系統
+關注
關注
0文章
28瀏覽量
11064 -
國芯思辰
+關注
關注
1文章
1184瀏覽量
2373
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
選型手冊:VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
HC6N10成熟穩定量大加濕器專用MOS管 6N10 100V6A 皮實耐抗惠海
MOS管的工作原理是基于在P型半導體與N型半導體之間形成的PN結,通過改變柵極電壓來調整溝道內載流子的數量,從而改變溝道電阻和源極與漏極之間
發表于 12-30 11:19
深入解析 NVMFS024N06C:高性能單通道 N溝道 MOSFET
作為一名電子工程師,在設計電路時,選擇合適的 MOSFET 至關重要。今天我們就來詳細探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOS
合科泰TO-252封裝N溝道MOS管HKTD100N03的核心優勢
如BMS、電機控制、電力開關的12V系統對低內阻MOS管的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設計的解決方案。而HKTD100N
HGE028N15L DCDC應用電路中MOS管的選型指南20-250V全系列低內阻MOS
HGE028N15L DCDC應用電路中MOS管的選型指南20-250V全系列低內阻MOS
發表于 10-30 09:13
PD快充MOS管HG5511D高性能低內阻SGT工藝應用方案 內阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝
的一款高性能低內阻SGT工藝MOS管HG5511D可應用于PD快充充電器同步整流位置,內阻僅11mΩ,可以解決充電器功耗大發熱的問題;超低的
發表于 09-10 09:24
合科泰N溝道增強型MOSFET HKTS80N06介紹
合科泰HKT系列產品推出新品N溝道增強型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術,其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優化散熱,產品均符合RoHS環保標準,以低導通電阻和高電流承載,可適配封閉環境應用,如儲能電池包
合科泰N溝道MOSFET HKTS80N06在儲能BMS主開關中的應用
的要求。合科泰 HKTS80N06 N 溝道 MOSFET,以高耐壓、抗雪崩、低損耗特性,為儲能系統構建全鏈路安全屏障。
國芯思辰|N溝道MOS管PGT06N009助力BMS電路穩定提升,內阻0.67mΩ
評論