電池管理系統(BMS)是一種能夠對電池進行監控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對電壓、電流、溫度以及SOC等數據采集,計算進而控制電池的充放電過程,主要就是為了能夠提高電池的利用率,防止電池出現過度充電和過度放電。
眾所周知,MOSFET對鋰電池板的保護作用非常大,它可以檢測過充電,檢測過放電,檢測充電時過電電流,檢測放電時過電電流,檢測短路時過電電流。對于這么核心的電池管理系統中的電路設計中,為了使可充電電池更具備長使用壽命,正確的充電電路設計與電子元器件器件選擇至關重要。

本文推薦場效應管PGT06N009 MOSFET管來應用于BMS中,器件采用高壓器件的新技術,參數:422A、60V電流、電壓;RDSON@VGS=10V時,內阻為0.67mΩ,具有極低導通電阻和傳導損耗,100%雪崩測試。
最高柵源電壓(VGS):±20V,具有100%雪崩測試,EAS測試、可靠性高、低Qgd、低RDSon等特點。PGT06N009的封裝形式是TOLL,,儲存溫度范圍-55℃-150℃,目前已經廣泛用于應用于鋰電池保護板、儲能、電機驅動、低速電動車、服務器電源、LED電源、PD快充及電動工具;園林工具,電源, 無人機等。
注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOS管
+關注
關注
111文章
2804瀏覽量
77678 -
MOS
+關注
關注
32文章
1754瀏覽量
101147 -
bms系統
+關注
關注
0文章
28瀏覽量
11088 -
國芯思辰
+關注
關注
1文章
1184瀏覽量
2448
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
onsemi NTMFD016N06C雙N溝道MOSFET:緊湊設計與高性能的完美結合
onsemi NTMFD016N06C雙N溝道MOSFET:緊湊設計與高性能的完美結合 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的電子元件,其性能直接影響到整個電路的效率和
onsemi NTMYS025N06CL N溝道MOSFET深度解析
onsemi NTMYS025N06CL N溝道MOSFET深度解析 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其性能和特性直接影響著整個電路的效率和
探索 onsemi NTMYS021N06CL N 溝道 MOSFET:特性、參數與應用考量
探索 onsemi NTMYS021N06CL N 溝道 MOSFET:特性、參數與應用考量 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET 作為關鍵的功率開關元件,其性能直接影響著整個電路
安森美 NTTFS020N06C N 溝道 MOSFET 深度解析
安森美 NTTFS020N06C N 溝道 MOSFET 深度解析 在電子設計領域,MOSFET 作為至關重要的功率開關元件,其性能直接影響著整個電路的效率和
深入解析 onsemi NVMTS001N06C N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVMTS001N06C N 溝道 MOSFET 在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率開關元件,其性能直接影響著整個電路的效率和
深入解析NVMFD024N06C:一款高性能N溝道MOSFET
深入解析NVMFD024N06C:一款高性能N溝道MOSFET 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能直接影響到整個電路的效率和穩定
onsemi NVTYS005N06CL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選
onsemi NVTYS005N06CL:高性能N溝道MOSFET的卓越之選 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率開關元件,其性能直接影響到整個電路的效率和
onsemi NVMTS0D7N06CL N溝道MOSFET深度解析
onsemi NVMTS0D7N06CL N溝道MOSFET深度解析 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其性能直接影響到整個系統的效率和穩定性。今天我們就來深入剖析o
選型手冊:VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
合科泰TO-252封裝N溝道MOS管HKTD100N03的核心優勢
如BMS、電機控制、電力開關的12V系統對低內阻MOS管的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設計的解決方案。而HKTD100N
國芯思辰|N溝道MOS管PGT06N009助力BMS電路穩定提升,內阻0.67mΩ
評論