無陰極短路點：

(1)正向特性

(2)反向特性

高壓雙向可控硅（SCR）具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。

器件設計考慮：一是原始高阻單晶硅材料參數(高阻單晶硅電阻率、厚度、少子壽命等) 的選擇及P-區（等效NPN晶體管基區，薄基區）、N-區（等效PNP晶體管基區，厚基區）結構設計，同時滿足產品高阻斷電壓、低飽和壓降及低漏電流特性；二是芯片門極、陰極區結構及芯片面積的設計，同時滿足大初始導通面積（高di/dt）、高dv/dt、高電流容量和低導通延遲；三是非對稱N+緩沖層的設計和實現，N+緩沖層的制備方法選擇，通過調整N+緩沖層的摻雜濃度及雜質濃度分布來獲得較好的非對稱特性，同時實現高阻斷特性和低通態壓降。