我們在測試過程中往往優先考慮的是被測件（DUT）的狀態，而忽略了測試系統的穩定性及可靠性，因此有時候觀察到的現象可能會與我們預期的相反，情況變得更為糟糕，這種情況常常令人沮喪，項目進度也會停滯不前。可是如果因為排查出最根本的原因而使情況變得更糟時，距離真相也就不遠了！

有一次，當我對一塊DCDC PCBA進行重復短路測試時，雖然開關芯片的過載功能比較好，但可以肯定的是這種破壞性試驗引起的結果就是IC損壞！

事實證明，短路DCDC輸出端似的輸入直流電源的輸出失控，IC損壞；當以一定的頻率重復短路時，情況更不理想。這時我意識到即使是實驗室電源也存在內部反饋環路，引起振蕩，以前沒有遇到過，始終認為只有開關芯片才會發生振蕩。

當DCDC輸出短路，輸入電壓也會被拉低，此時也就是實驗室電源的輸出被拉低，所以電源反應劇烈，試圖恢復正常，從而IC的Vin輸入端會產生反復的上沖和下沖，當電壓超過Vin的額定值，IC會損壞。

但是此時還不能判定具體原因，降低DCDC的輸入電壓，開關IC的損壞可能性降低了，看上去好像是過大的電壓應力造成的IC損壞，而不是過流。這是想到如果利用實驗室電源的環路矯正使輸出電壓抖動變小，肯定會減小DCDC開關芯片的損壞概率，因此將實驗室電源的引線加長連接至DCDC的輸入端，但是情況相反，電壓抖動的更劇烈了！顯而易見，電源的開關壞路設計的很差，我對這臺電源的合格性嚴重懷疑，這時候我找同事拿了一臺安捷倫的電源，一切又恢復了正常。

因此在進行測試之前必須先確認測試系統的好壞，結果：

1. 和預期的一致，短路時由于開關芯片具有限流功能，IC短路時未損壞；

2. 當反復短路時，IC環路不穩定，導致IC Vin引腳被沖擊，IC損壞。

另外關于短路測試，以前覺得帶有過載保護功能的IC損壞模式都是過壓，但是后來發現也不盡然，這里摘抄一段Datasheet手冊的翻譯：過流限制，通過檢測高側MOS管的漏源電壓來實現過流限制。然后將漏源電壓與表示過流閾值限制的電壓電平進行比較。如果漏源電壓超過過流閾值限制值，則過流指示器設置為 true（真）。在每個周期開始時的前沿消隱時間內，系統將忽略過流指示器，以避免任何開啟噪聲干擾。一旦過流指示器設置為 true（真），就會觸發過流限制。在傳播延遲之后，高側MOSFET在周期的剩余時間內關閉，這種過流限制模式稱為逐周期電流限制。有時在短路等嚴重過載情況下，使用逐周期電流限制仍可能會發生過流失控。使用第二種電流限制模式，即斷續模式過流限制，在斷續模式過流限制期間，電壓基準接地，且高側MOSFET在斷續時間內關閉。一旦斷續時間結束，穩壓器在慢啟動電路的控制下重新啟動。

建議：針對容易引起輸出短路的應用，不建議選取電壓控制模式的芯片，選一顆電流模式控制的芯片更合適些，因為電流控制芯片可以進行逐周期過流保護，限流更加容易，并且在特定開關頻率處可以做到更快的負載動態響應。

備注：本文只提供一種測試案例，并非所有人都會碰到這些問題，絕大部分人在電路設計中碰到的問題都只是九牛一毛，有的由于選型與PCB Layout 布局的不同即使遇到相同的現象可能解決方案也不同，由于本人水平有限，思考問題難免有局限性，因此本文僅供參考！

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