低壓直流浪涌的常規設計防護方案？|深圳比創達電子科技（中）

低壓直流浪涌的常規設計防護方案？相信不少人是有疑問的，今天深圳市比創達電子科技有限公司就跟大家解答一下！

針對市面上各種快充型手機，其適配器輸出的常規電壓為5V DC，但若采用高壓大電流或者高壓低電流的快充模式，最高輸入電壓有可能達到20V DC以上。

另外，USB充電頭在插拔瞬間也易產生一些強干擾脈沖注入到端口中；因此，有必要對手機的相應端口進行耐壓能力的評估測試。

在比創達的日常工作中，低壓浪涌類測試整改項目也是最常見的項目之一；因端口防護設計不良造成的失效也是多種多樣，包括IC芯片燒毀、產品關機/復位、端口器件燒毀等。

經過經驗豐富的現場整改工程師定位整改后，絕大部分產品均能通過最優方案解決浪涌失效問題，那么低壓直流浪涌的常規設計防護方案？接下來就跟著深圳比創達電子科技小編一起來看下吧！

一、常規設計防護方案

針對各種端口的低壓浪涌防護設計，與常規的浪涌防護原理一致，也是以泄放、鉗位為主要手段，只是干擾等級相對較低，且大部分端口的空間有限，選用的器件一般是小尺寸貼片封裝的TVS或TSS為主；以USB口為例，其常規的低壓浪涌防護方案如圖1所示：

圖1 USB口的低壓浪涌防護方案

L1：濾波器件BTREF1608A1R601（該器件為1A電流的器件，后續可根據實際要求與測試結果調整適當參數）。

L2：共模器件BCMF122P900H（可根據實際要求與測試結果調整適當參數）。

L3：共模器件BWMF32252P102P1A2（該器件為1.2A電流的器件，后續可根據實際要求與測試結果調整適當參數）。

D1/D2/D3：防靜電器件BTR06D3（可按實際要求更改封裝，下同）。

C1：104濾波電容。

R1/R2：2.2歐電阻（0603封裝）。

T1/T2：防浪涌器件BTR3S23A1（可根據實際測試結果調整TVS型號，下同）。

T3/T4：防浪涌器件BTR9S23A05A。

備注：此方案基于防靜電設計增加浪涌防護；此方案為基于被保護端防護能力較弱的保守方案，實際應用時可根據后級IC或其他模塊的耐壓能力強弱適當增減防護模塊。

二、總結

1、低壓浪涌防護也是以泄放、鉗位為主要手段，器件主要用TVS和TSS；

2、器件選型時需注意確保殘壓對后級被保護電路的影響同時，要注意端口自身的耐壓；即保證被保護的模塊得到保護的同時，也要保證防護器件本身不易損壞。

綜上所述，相信通過本文的描述，各位對低壓直流浪涌的常規設計防護方案都有一定了解了吧，有疑問和有不懂的想了解可以隨時咨詢深圳比創達這邊。今天就先說到這，下次繼續延續這篇，然后給各位講解低壓直流浪涌的整改案例，咱們下回見啦！

以上就是深圳市比創達電子科技有限公司小編給您們介紹的低壓直流浪涌的常規設計防護方案的內容，希望大家看后有所幫助！

深圳市比創達電子科技有限公司成立于2012年，總部位于深圳市龍崗區，成立至今一直專注于EMC電磁兼容領域，致力于為客戶提供最高效最專業的EMC一站式解決方案，業務范圍覆蓋EMC元件的研發、生產、銷售及EMC設計和整改。

審核編輯：湯梓紅