MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關(guān)，驪微電子60-80V低壓mos系列，常用于光伏儲能、BMS、逆變器等領(lǐng)域，是光伏儲能、BMS、逆變器專用mos管！

耐壓60V mos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等，導(dǎo)通電阻RDS(on)(典型值)范圍2.8mΩ-9.5mΩ，有PDFN56、TO252、SOP8封裝，滿足不同的電路拓撲結(jié)構(gòu)與終端使用需求。

SVG062R8NL5 60v mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。

SVG063R5NL5 60v耐壓的mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。

SVGP066R1NL5 60v大電流mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。

SVG069R5ND 60v大功率mos管采用TO252封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

SVGP069R5NSA 60v功率mos管采用SOP8封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

80V低壓mos系列：主要有SVGP082R6NL5A、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5 、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT等，導(dǎo)通電阻RDS(on)(典型值)范圍2.6 mΩ-6.0 mΩ，有DFN56、TO263、TO220、TO252等多種封裝，滿足不同的電路拓撲結(jié)構(gòu)與終端使用需求。

80v低內(nèi)阻mos管SVGP082R6NL5A 采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=2.6 mΩ@VGs=10V，具有低柵極電荷、快關(guān)速度快、低反向傳輸電容等特點。

SVG083R4NS 80v低壓mos管采用TO263封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。

SVG083R4NT耐壓80v的mos管采用TO220封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。

SVG083R6NL5 80v的大功率mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.6 mΩ@VGs=10V。

SVG086R0ND 80v mos管采用TO252封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。

SVG086R0NL580v大電流mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。

80v mos管型號SVG086R0NS采用TO263封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。

SVG086R0NT 80v N溝道m(xù)os管采用TO220封裝，漏源電壓VDS=80V，漏極電流Tc=25℃：120A，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V，是120A、80V N溝道增強型場效應(yīng)管。

低壓30-200V mos管系列具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過電流大、抗沖擊能力強、開關(guān)損耗小等的優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于逆變電源、智能家居、新能源電子領(lǐng)域：如智能音響、家用電器、LED照明、充電器、汽車電子、電瓶車、電腦電源等行業(yè)，更多MOS器件替換及產(chǎn)品手冊、參數(shù)等方案資料請向士蘭微代理驪微電子申請。>>