今天，逆變器廠家給你說下，逆變器的逆變效率提升方法，可以簡單了解一下，會定期更新相關文章。

逆變器的效率直接關系到系統的發電量，是客戶非常關心的一個重要指標。提高功率逆變器的轉換效率非常重要。

逆變器的逆變效率如何提高

提高功率逆變器效率的唯一方法是減少損耗。逆變器的主要損耗來自IGBT、MOSFET等功率開關管，以及變壓器、電感等磁性器件，這與所選材料所采用的電流、電壓及工藝有關。

IGBT損耗

可分為導通損耗和開關損耗。其中，傳導損耗與內部電阻和通過元件的電流有關，而開關損耗與元件的開關頻率和元件承受的直流電壓有關。

電感損耗

可分為銅損和鐵損。其中，銅損是指電感線圈的電阻引起的損耗。電流通過電感線圈的電阻加熱時，一部分電能轉化為熱能而損失掉，由于線圈通常用絕緣銅線包裹，所以也稱為銅損，可以通過測量來計算變壓器的短路阻抗。鐵損包括磁滯損耗和渦流損耗兩個方面，可以通過測量變壓器的空載電流來計算。

提高逆變器效率的技術

目前，提高功率逆變器效率的技術路線有3種。

首先，采用空間矢量脈寬調制等控制方法降低損耗。

其次，碳化硅材料的成分用于降低功率器件的內阻。

三是采用三電平、五電平、多電平電氣拓撲和軟開關技術，降低功率器件兩端電壓，降低功率器件開關頻率。

1.空間矢量脈寬調制(SVPWM)

SVPWM是一種全數字化控制方式，具有直流電壓利用率高、易于控制等優點，已廣泛應用于功率逆變器。直流電壓利用率高，在相同輸出電壓下可以使用較低的直流母線電壓，降低了功率開關器件的電壓應力，降低了器件的開關損耗，在一定程度上提高了功率逆變器的轉換效率。在空間向量合成中，向量序列的組合有很多種。通過不同的組合和排序，可以達到減少功率器件開關次數的效果，可以進一步降低功率逆變器功率器件的開關損耗。

2.采用碳化硅材料制成的部件

碳化硅器件的單位面積阻抗僅為硅器件的百分之一，而用碳化硅制成的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等功率器件可將導通阻抗降低到常規硅器件的十分之一. 由于碳化硅技術可以有效降低二極管的反向恢復電流，因此功率器件的開關損耗和主開關所需的電流容量也可以降低。因此，以碳化硅二極管為主開關的反并聯二極管是提高功率逆變器效率的途徑。與傳統的快速恢復反并聯二極管相比，碳化硅制成的反并聯二極管可以顯著降低反向恢復電流，提高總轉換效率1%。使用快速IGBT后，由于開關速度的加快，整機轉換效率可提高2%。當SiC反并聯二極管與快速IGBT結合時，功率逆變器的效率將進一步提高。

3、軟交換和多電平技術

利用諧振原理，軟開關技術可以使開關器件中的電流或電壓按照正弦或準正弦規律變化。當電流自然過零時，器件關斷，當電壓自然過零時，器件導通，從而降低了開關損耗，解決了感性斷開和容性開路的問題。而且，當開關兩端的電壓或流過開關的電流為零時，開關沒有開關損耗，開關導通或關斷。三電平功率逆變器主要應用于高壓大功率場景，與傳統的兩電平結構相比，零電平輸出增加，功率器件電壓應力降低一半。為此原因，三電平逆變器在相同開關頻率下可采用比二電平逆變器更小的輸出濾波電感，可有效降低電感損耗、成本和體積。同時，在相同的輸出諧波含量下，三電平逆變器可以采用比兩電平逆變器更低的開關頻率、更低的開關損耗和更高的轉換效率。

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