光刻曝光是指利用紫外光源將膠片或其他透明物體上的圖像信息轉移到涂有光敏材料（光刻膠）表面以得到高精度和極細微圖案的一種制作工藝，主要用于半導體生產、高精密集成電路、PCB板制造、MEMS等行業。光刻技術是半導體工業和集成電路是最為核心的制造技術。

半導體光刻行業主要使用的是紫外光源，包括i線（365nm）、h 線（405 nm）和g線（436 nm）。傳統光刻技術中使用的大多數紫外光源是汞放電燈，因為這些光源結構具有較為穩定的輸出強度和穩定度。但汞燈的工作壽命短，幾個月就必須進行更換，維護成本高；汞燈內含有毒氣體，在生產和使用過程中對人體和環境危害大；每次使用前必須進行預熱，不能隨用隨開，并且光能轉換率低。這些技術上的缺點成為制約汞燈大規模應用的主要原因。

伴隨著十多年來半導體技術以及UVLED的熱度，性能優異的UVLED光源為紫外曝光和光刻設備帶來了革命性的變化。與傳統汞燈相比，UVLED光源能夠續且穩定地輸出高功率的紫外光，工作壽命達上萬小時以上，極大程度地降低了維修率和成本，并且安全性高，完全無有害重金屬，電路控制簡單且集成冷卻系統。因此，UVLED光源取代傳統的汞燈光源是一種必然的發展趨勢。

虹科ALE/1C紫外光源

性能簡介

01

虹科ALE/1C紫外光源系統是一種超高功率LED輻照系統，可取代傳統的汞放電燈。該光源包含兩個系統來使用：控制系統（CSS）和曝光系統（ESS），將控制系統和光源系統一分為二，提供高功率和緊湊性，易于集成到機器中。曝光系統可與光導管、導光板等各種光學元件結合使用。

應用領域

02

虹科ALE/1C紫外光源系統可適用于

4〃、6〃和8〃晶圓的掩模對準器、1X晶圓步進器和微型步進器以及任何高均勻精度曝光場景

技術亮點

03

• 內置解決方案可實現最大曝光效率和性能
• 高達70W的i-line曝光（CWL 365 nm）
• 高達80W的寬帶曝光（350-450 nm）
• 閉環控制光輸出
• LED工藝穩定性和TCO優勢
• 無需外部冷卻
• 無汞！節能環保的LED光源

性能優勢

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（1）實現最高光強的光譜模塊化，實現1KW和2KW汞弧燈的照明功率，

完美替代高功率汞燈。

（2）采用分布式設計方法，其中控制子系統（CSS）與小面積曝光子系統（ESS）分離，直接集成到準直曝光設備（即掩模對準器）中。

提供一系列均勻化光管、柔性液體光導和聚光光學器件，可與ALE/1C曝光子系統結合使用。

虹科ALE/2紫外光源

性能簡介

01

虹科ALE/2紫外光源系統是高輸出、高穩定的LED紫外線光源裝置，輸出功率最高可至80W。ALE/2紫外光源最多可內置4種LED，可輸出多個波長（365 nm / 385 nm / 405 nm / 435 nm），并且可配置搭載多個相同波長的模塊，實現

高強度i線或g線輸出。虹科ALE/2的LED模塊易于更換，可靈活應對程序變更，易于集成到新的或現有設置中，是適應未來科技發展的無汞光源。

應用領域

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虹科ALE/2 紫外光源系統可適用于8寸和12寸曝光機、先進封裝投影***、晶圓邊緣曝光、光掩模檢查、質量保證和檢查（NDT），在汽車、電子、光電子、制藥和生命科學領域具有廣泛的應用市場。

技術亮點

03

內置解決方案可實現最大曝光效率和性能

高達70W的i-line曝光（CWL 365 nm）

高達80W的寬帶曝光（350-450 nm）

閉環控制光輸出

LED工藝穩定性和TCO優勢

無需外部冷卻

無汞！節能環保的LED光源

性能優勢

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（1）實現超高功率紫外線輸出，最高可達80W，是光刻設備中替代2-5KW汞燈的完美解決方案。

（2）虹科ALE/2曝光光源系統遵循分布式設計方法，通常由一個控制子系統 (CSS) 和一個單獨的曝光子系統(ESS) 組成，ESS可直接接入到曝光系統中。