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國芯思辰|拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C用于醫(yī)用額溫槍,寫入周期達(dá)100萬次

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-09-23 10:54 ? 次閱讀
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在額溫槍開機(jī)運行的過程中,MCU運行的程序會根據(jù)用戶的操作將一些重要的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存。即便是額溫槍從關(guān)機(jī)到重新開機(jī)、電池沒電等情況下,重要的數(shù)據(jù)也不會丟失。這些重要數(shù)據(jù)的存儲任務(wù),通常都是由可編程存儲器來完成。

一般來說,額溫槍的主控MCU不帶可編程存儲器,因此都需要外加。外加的存儲器可以通過總線(I2C接口或SPI接口)和MCU進(jìn)行通信和數(shù)據(jù)讀寫存儲。

本文主要介紹拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C,用于額溫槍上的重要數(shù)據(jù)存儲。該存儲器可替換賽普拉斯FM25V01-G和富士通MB85RS128B,性能優(yōu)越且交期短。

1、可靠性參數(shù)、低功耗

PB85RS128C具有2.7V到3.6V寬工作電壓范圍,對電壓波動具有很強的適應(yīng)性;工作溫度范圍-25°C到60°C,儲存溫度范圍更寬-40°C ~125°C;正常工作模式功耗為5毫安,低功耗模式為10微安@待機(jī)。可以滿足額溫槍電池供電、工作溫度范圍和低功耗的應(yīng)用要求。

2、高速讀寫、高耐久度

相當(dāng)重要的一點是,PB85RS128C具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(100萬次寫入周期、長達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時效),這對于額溫槍來說非常重要,因為重要數(shù)據(jù)需要快速、頻繁的寫入到存儲器中,甚至同一個地址的數(shù)據(jù)會反復(fù)的讀寫,這對存儲器的寫入次數(shù)都要求很高,而100萬次寫入周期和25年以上保存時效則能夠有力保障數(shù)據(jù)的反復(fù)讀寫。

除上述優(yōu)勢以外,PB85RS128C采用SPI接口與MCU連接,具有防誤寫、寫入保護(hù)等功能。其支持40MHZ高速讀命令,這樣的高速度可以保證數(shù)據(jù)很快被寫入到存儲器,對于關(guān)機(jī)前要存儲數(shù)據(jù)的寫入,可以縮短時間,提高可靠性。

image.php?url=YD_cnt_42_01F9LLmrSbCh

PB85RS128C SOP8封裝實物圖

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