9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成電路產業全書》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關注
關注
5452文章
12572瀏覽量
374569
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
探索碳化硅如何改變能源系統
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統的推動劑，可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術的未來發展趨勢與創新方向
。隨著碳化硅產業向大尺寸、高性能方向發展，現有測量技術面臨諸多挑戰，探究未來發展趨勢與創新方向迫在眉睫。
二、提升測量精度與分辨率
未來，碳化硅 TTV 厚度測量技術
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術的未來發展趨勢與創新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
Wolfspeed碳化硅技術實現大規模商用
碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來，它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產品的創新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中，我們
SiC碳化硅功率半導體：電力電子行業自主可控與產業升級的必然趨勢
SiC碳化硅功率半導體：電力電子行業自主可控與產業升級的必然趨勢 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業自主可控和產業升級
碳化硅在電機驅動中的應用
今天碳化硅器件已經在多種應用中取得商業的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業可行替代品。
碳化硅器件的應用優勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定，哪怕是在超過300℃的高溫環境下，打破了傳統材料下器件的參數瓶頸，直接促進了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
模塊的可靠性和耐用性。低電感設計：電感值為6.7 nH，有助于降低系統中的電感效應，提高功率轉換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
發表于 06-25 09:13
熱泵與空調全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代：能效革命與產業升級
熱泵與空調全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代：能效革命與產業升級 在“雙碳”目標的驅動下，商用空調和熱泵行業正經歷一場靜默卻深刻的技術革命。碳化硅（SiC）功率半導體憑借其卓越的物理特性，正逐步取代
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
到IDM模式的戰略轉型 國產SiC碳化硅功率半導體企業發展歷程詮釋了中國半導體產業的轉型升級路徑。國產SiC碳化硅功率半導體企業創立初期采用Fabless模式，專注于 芯片設計與市場開拓 ，但很快意識到IDM（
破浪前行 追光而上——向國產SiC碳化硅MOSFET產業勞動者致敬
破浪前行 追光而上——向國產SiC碳化硅MOSFET產業勞動者致敬 值此五一勞動節之際，我們向奮戰在國產碳化硅（SiC）MOSFET產業一線的科研人員、工程師、生產工人以及所有推動行業
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討
低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”
低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用，可能將這一本應引領焊機產業升級的SiC
碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
電力電子應用中全面取代進口IGBT，助力中國電力電子行業自主可控和產業升級！以下是針對碳化硅MOSFET替代IGBT的常見問題及解答，結合行業現狀與技術發展進行綜合分析： 問題1：國產碳化硅MOSFET成本低于或者持平進口IGB
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
發表于 03-12 11:31
?1000次閱讀
工商網監
評論