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IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF這款 HEXFET 功率 MOSFET 專為工業應用而設計,利用最新的處理技術實現每硅面積極低的導通電阻。此設計的其他特點是 175°C 的結工作溫度、快速的開關速度和改進的重復雪崩額定值。這些特性相結合,使該設計成為用于工業應用和各種其他應用的極其高效和可靠的設備。
IRLR3110ZTRPBF主要特點
- 先進的工藝技術
- 超低導通電阻
- 175°C 工作溫度
- 快速切換
- 允許重復雪崩高達 Tjmax
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