盡管當前全球半導體產業處于下行周期，總體市場氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數供不應求的領域。消息稱，英飛凌、意法半導體國外大廠IGBT交期均在50周以上，產能緊張或將持續至2025年。而這也為國產IGBT的發展提供了良機。

上海陸芯電子科技有限公司于6月16日舉辦了“2023陸芯新品發布&功率半導體行業分享會”，邀請功率半導體產業鏈同仁共同討論新一代功率半導體的技術革命和創新發展。隨著IGBT市場的不斷擴大以及國產IGBT企業技術上取得突破，我國IGBT正在駛上發展的快車道。

IGBT供不應求，為國產IGBT發展提供良機

全球范圍內的產能緊張為國產IGBT發展提供了良機。陸芯作為專業從事最新一代功率半導體研發、生產和銷售的高新技術企業，2021年即發布了IGBT微溝槽Fine-Pitch系列、Hybrid系列在內的多款產品，取得良好的市場口碑。

本次活動現場，陸芯再次推出系列新品，包括陸芯Gen2和Gen3工藝平臺下的IGBT產品，相比第一代產品性能上得到進一步提升；陸芯業內領先的基于12英寸晶圓生產線的Gen2 IGBT產品，該產品已經成功定型量產；通過AEC-Q101認證的車規級IGBT單管級產品。

此次陸芯推出的產品從性能到穩定性，都得到了進一步提升，比如針對特定應用場景的T3系列。該產品為1200V短路增強型IGBT，進行了特別的設計和工藝調教，適用于電機驅動/工業變頻等中低頻、對短路有更高要求的應用領域，可滿足用戶的更高要求。

得益于新能源汽車、軌道交通、智能電網等各領域的利好，國產替代將會是IGBT行業未來一段時期發展的主旋律之一。

技術不斷演進，國產性能不弱于國際龍頭

在技術方面，陸芯的技術團隊擁有多年美國一流功率半導體公司的IGBT研發經驗，所開發的IGBT產品與Infineon最新的第7代微溝槽TrenchFS技術相當。陸芯目前擁有一條IGBT模塊封裝線，具備大規模批量生產工業級模塊的能力；產品種類豐富，可封裝各種類型的IGBT模塊。研發成果方面，陸芯非常重視自有知識產權專利的申請，已陸續申請近100項。

陸芯科技總經理張杰博士介紹了陸芯在產品技術上的“專精特新”四大特點。“?！笔侵戈懶緦Ｗ⒂贗GBT領域，擁有專業的技術積累和專注的產品開發路線；“精”是指陸芯的精品策略，精益求精地打磨產品，根據應用需求精心調教各種產品參數；“特”是指有陸芯的產品特色，之前650V和1200V單管IGBT作為陸芯的主打產品，最近又增加了多種類型的IGBT模塊，包括工業、電源以及車用等不同類型；新是指創新，在產品迭代中，陸芯不斷創新，使產品的性能與可靠性越來越高。

根據陸芯科技首席科學家林青博士的介紹，陸芯的產品技術從Gen1一直延伸到Gen4。Gen1、Gen2、Gen3技術都已經有產品實現大規模量產，同時陸芯在積極研發Gen4技術。據了解，自陸芯2017年成立以來，一直致力于完整的IGBT技術開發平臺打造，產品采用自主創新的最新一代溝槽柵場截止IGBT平臺設計與工藝，已具備比肩國際一線品牌的高性能與高可靠性。

陸芯科技在會議中探討了未來還將不斷開發IGBT 新一代產品及MOSFET，并逐步按計劃推向市場，同時加大對新能源汽車電子、儲能、光伏、逆變、UPS及變頻器等領域的推廣力度，持續提升公司品牌價值和影響力。

車規與光伏兩個黃金賽道，國產替代進行時

IGBT的應用范圍非常廣泛，涉及軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等，但光伏逆變器和新能源汽車當前IGBT最受矚目的兩大下游領域，也是陸芯重點布局的兩個市場。

談到新能源汽車市場，很多人都會想到碳化硅器件，對硅基器件的替代。但張杰表示，受限于SiC襯底復雜的生產過程與低良率，導致價格較高、產量不足，同時碳化硅長期的可靠性還沒有得到充分的驗證，因此在相對較長的一段時期內，碳化硅器件依然無法替代IGBT。陸芯開發的Hybrid IGBT在與碳化硅器件性能接近的情況下可以提供更有價格競爭力的品牌解決方案。

而且陸芯也在將SiC產品及模塊業務納入發展規劃。張杰表示，陸芯在碳化硅上的布局主要是從碳化硅與IGBT的結合上切入，實現了高頻硅器件與碳化硅二極管的結合。相關產品已在新能源汽車的車載充電機OBC行業批量交付。

本次活動上，陸芯不僅展示了最新產品與技術成果，也顯示出蓬勃的發展潛力。經過這些年的持續發展，國產IGBT的性能實際上已不弱于國際大廠。隨著市場的擴大與技術的演講，中國IGBT產業鏈將具備更強的進口替代能力。
責任編輯：彭菁