近期，公司控股子公司振華永光傳來了好消息：第6代IGBT功率模塊迎來窗口期，而第7代IGBT功率模塊也成功研制出來。

根據振華永光的數據顯示，截至2023年5月31日，第6代IGBT功率模塊的用戶數量同比增長42.9%，訂貨金額同比增長超過100%。這是由于第6代IGBT功率模塊具有優良的開關損耗和可靠性表現，未來在伺服電機、風力發電等領域預計會有良好的表現。

在2023年6月，振華永光成功研制出了1200V/900A功率模塊的第7代IGBT芯片。該產品的參數性能完全與世界一流企業的第7代同類產品相當。

IGBT是現代電力電子器件中的主導型器件，被譽為電力電子行業的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管，是國際公認的電力電子技術的第三次革命最具代表性的產品。作為工業控制及自動化領域的核心元器件，IGBT能夠根據信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率和相位等，以實現精準調控的目的。IGBT廣泛應用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等眾多領域。

第7代IGBT芯片基于全新的微溝槽技術開發，相比第6代IGBT芯片，靜態損耗降低了30%。該芯片可應用于功率模塊中，帶來更高的電流密度，使相同封裝體積下的輸出電流能力增加50%以上。此外，第7代IGBT功率模塊的最高結溫從第6代的150℃提升到175℃，具有廣闊的市場前景。