1984年從荷蘭著名電子制造商飛利浦獨立，當時辦公室尚在母公司的空地一旁的木屋內，僅有百馀人陸續加入，此后致力于當時正在發展的大規模積體電路設備的研究和制造市場。阿斯麥公司為半導體生產商提供曝光機及相關服務，根據摩爾定律不斷為提高單位面積集成度作貢獻。2007年已經能夠提供制造37nm線寬積體電路的曝光機。

制造大規模積體電路時要對半導體晶圓曝光3、40次。為在不降低品質的情況下減少曝光次數，阿斯麥公司在曝光機上使用德國蔡司公司的光路系統，鏡頭使用螢石和石英制造，其反射鏡更是人類史上最平滑的光學鏡面。曝光機是高附加值產品，一臺當時龍頭尼康的新的曝光機動輒上億美元。而研發周期長，投入資金也相當巨大，使得單一家公司獨立研發開始出現困難。

阿斯麥的成功轉變在于整合，當年眼前有這樣級別的業界對手，因此沒有走上完全自主研發的傳統路線，面對這樣的條件，選擇了做專業設備不如以外包采購代替、用先進制造不如委托廠商協助代理的方法突破，同時在DUV節點上除了投資干式顯影法，運用自己規模較小的優勢，轉向了林本堅在2002年提出，還在業界推廣的浸潤式顯影技術，并與臺積電形成同盟，漸漸擊敗Nikon自家的技術，以全球多元分工的模式取得一席之地，其中比如極紫外光刻（EUV），也是透過產業聯盟進行合作，EUV技術由美國科技公司率先倡導，然而此時美國自己的曝光機產業已被日商光刻技術擊垮，阿斯麥此時出現搶市，伙同多家美國研究機構、供應商聯合近20年潛心研發未知的新技術，才終于讓實用級別的EUV設備誕生，使得雖然總部和生產都在歐洲，但阿斯麥取得編輯協助摩爾卻像研究單位，只負責專業整合、設計和機臺操作等自有強項，大部分極紫外光的技術和供應皆為美國。

現在市場上提供量產商用的曝光機廠商依照排名，首位阿斯麥、第二名尼康（Nikon）、以及佳能（Canon）共三家，根據2007年的統計數據，在中高階曝光機市場，阿斯麥公司約有60%的市場占有率。而最高階市場（immersion），阿斯麥公司目前約有90%的市場占有率，在14奈米節點以下更取得100%市占率，同業競爭對手已無力追趕。

2010年代以后，阿斯麥公司繼續堅持制造與生產方共同來研制的思路，甚至讓三星、臺積電、英特爾等競爭對手紛紛放下敵意和成見，出現死對頭們聯手研發并聯合資注EUV項目的景象，并已經向客戶遞交若干臺EUV原型機型，用于研發和實驗。同時，基于傳統TWINSCAN平臺研發的雙重曝光技術也對光刻技術做出了大量的貢獻。早在07年末，三星宣布成功生產的36nm NAND Flash，基于的便是雙重圖形技術（double patten）。

TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生產效率最高，應用最為廣泛的高端曝光機型。目前全球絕大多數半導體生產廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，例如英特爾、三星、海力士、臺積電、聯電、格羅方德及其它臺灣十二吋半導體廠。除了目前致力于開發的TWINSCAN平臺外，阿斯邁公司還在積極與IBM等半導體公司合作，繼續研發光刻技術，用于關鍵尺度在22納米甚至更低的積體電路制造。

目前，已經商用的最先進機型是Twinscan NXE:3400C，每小時單位產出為136片（WPH）12英寸晶片，屬于極紫外線曝光（EUV）機型，用來生產關鍵尺度低于7納米的積體電路。

后3納米制程時代，ASML與合作伙伴正在開發全新 EUV 微影曝光設備Twinscan EXE:5000系列。

據Bloomberg數據，2018年全球五大半導體設備制造商分別為應用材料（AMAT）、阿斯邁（ASML）、東京威力科創（TEL）、科林研發（Lam Research）、科磊（KLA），這五大半導體制造商在2018年以其領先的技術、強大的資金支持占據著全球半導體設備制造業超過70%的份額。