InnoSwitch3-EP反激式開關IC產品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項,工程師可根據其應用選擇最佳的開關技術,從而簡化設計。該系列的最新產品采用900V氮化鎵(GaN)技術,可提供高達100W的功率,效率高于93%,在空間有限的應用中無需使用散熱片。
PI特有的PowiGaN技術可提供實現900V耐壓所需的可靠性和耐用性。同時還能提高功率和效率,使InnoSwitch3-EP IC非常適合家電、三相電機和服務器輔助電源等應用。初級MOSFET具有900V擊穿電壓,還可以為市電電壓較高或不穩的地區提供更大的安全裕量,并且它們與725V和750V InnoSwitch3-EP器件的引腳相兼容,可讓工程師在不改變設計的情況下增加輸出功率,優勢非常明顯。
所有InnoSwitch3-EP器件均具有同步整流控制、波谷開通的非連續導通模式(DCM)和連續導通模式(CCM)反激式控制器。FluxLink通信技術可使IC封裝位于安規隔離帶上,從而省去光耦器。

審核編輯:彭靜
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原文標題:參考設計 | PowiGaN InnoSwitch3-EP為工業應用保駕護航
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