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mMIMO支持5G,SiC上的GaN支持mMIMO

星星科技指導員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-24 09:57 ? 次閱讀
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什么是 mMIMO?

雖然MIMO已經在一些4G基站上找到,通常使用兩個或多個發射器和接收器一次發送和接收更多數據,但mMIMO通過顯著增加單個陣列上的天線數量來擴展這一概念。

例如,愛立信的AIR 6468使用64個發射天線和64個接收天線來支持64x8陣列中的8個饋電。其他設備供應商已經演示了多達128根天線的mMIMO系統。

mMIMO 依賴于環境中結構反射導致的多徑信號傳播。通過無線電信道估計和信號處理技術,利用多徑傳播產生的空間多樣性,在同一時間和頻率資源下實現基站和多個用戶之間的通信

mMIMO的主要優點是:

網絡容量:mMIMO 通過在多個信號路徑上拆分數據包以及通過使用多用戶 MIMO (MU-MIMO) 允許同時使用多個用戶來提高網絡容量和數據吞吐量。

更好的覆蓋范圍:采用 mMIMO 的波束成形通過調整信號路徑,實現移動用戶的動態覆蓋,從而調整覆蓋范圍以適應用戶位置。

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圖1:大規模 MIMO 通過利用到用戶的多個信號路徑來提高覆蓋范圍、網絡容量和速度。

挑戰

5G的更高帶寬不會線性轉化為更高的容量,因為它對信噪比(SNR)的貢獻成反比,如香農方程,它描述了信道的信息承載能力。為了在增加帶寬的同時保持SNR固定,發射功率必須成比例地增加。

mMIMO 具有更多的射頻鏈,并且需要額外的信號處理資源。這意味著額外的硬件和更高的功耗,可能導致空間和熱管理挑戰。更重要的是,鑒于更高的工作頻率,天線之間的空間要小得多,并且為熱管理留下的空間也更少。

碳化硅上的氮化鎵解決方案

到目前為止,基于硅的技術,如橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件已廣泛用于無線通信。然而,LDMOS設備具有功率密度和高頻限制,無法適當滿足5G要求。

這就是氮化鎵(GaN)晶體管以其低損耗、高頻開關性能大放異彩的地方,因為其端子電容較低,并且缺少具有反向恢復損耗的體二極管。GaN在高導熱性碳化硅(SiC)襯底上的出現使mMIMO的實施成為可能,從而實現了5G。

GaN 在所有頻率下均提供比 LDMOS 更高的性能,并可實現更高的平均功率和寬帶操作。根據Wolfspeed的說法,與使用LDMOS功率放大器(PA)的系統相比,SiC上的GaN在以最大平均功率運行時可以節省超過200 W的直流功率。

除了更高的功率密度外,SiC上的GaN具有更高的導熱性,有助于減小芯片尺寸,并通過減少LDMOS所需的熱管理設備,最終減小系統尺寸和重量。如前所述,這有效地解決了由于硬件密度引起的散熱問題。

從網絡運營商的角度來看,功耗、尺寸和重量的降低等同于成本的降低

審核編輯:郭婷

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