国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

超共源共柵簡史

jf_94163784 ? 來源:Qorvo Power ? 作者:Qorvo Power ? 2023-05-22 00:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。

電動汽車快速充電器和可再生能源的未來

上了年紀的設計師在看到 “超共源共柵” 一詞時,可能會聯(lián)想到 Admiral 的 24 英寸 30 系列電視機。該系列號稱 “機箱采用超共源共柵結構,配有額外的真空管,可提供出色的功率和零干擾接收性能,同時還內(nèi)置了全向天線”。甚至有一個帶電線的遙控器。如今,超共源共柵另有含義。從 1939 年的管式穩(wěn)壓器,到早期的音頻放大器,再到高電壓應用中的雙極晶體管堆棧,我們可以了解到這個詞的起源。目前我們尚不清楚電視機箱描述中的 “超” 一詞是否只是 “非常棒” 的意思,但是對額外真空管的描述似乎暗示了現(xiàn)在常說的超共源共柵的早期布局,也就是由一個硅 MOSFET 控制的 SiC 半導體開關堆棧。

那么,此概念是如何重現(xiàn)于視野的呢?開關式電源和逆變器是現(xiàn)代功率轉換的常用工具,根據(jù)功率和電壓電平的不同,其各自使用的半導體類型不盡相同。IGBT 是一種成熟的低成本解決方案,但僅在低頻下開關時才能保持低損耗,同時還需要使用大型且昂貴的相關磁性組件。Si-MOSFET 可在更高頻率下使用,但如果不借助高成本的專用組件,電壓將會限制在 1000V 左右。此外在高功率、高電壓時,Si-MOSFET 的導通電阻較高、效率較低,同時導電損耗顯著,而且在能量回收水平較高時,其體二極管的用處不大。這里給出的解決方案,在外部并聯(lián)二極管以實現(xiàn) “第三象限” 操作,同時使用額外的低壓阻斷肖特基二極管來阻止電流流向 MOSFET 體二極管,但這會進一步增加成本,提高導電損耗。并聯(lián) MOSFET 可解決導電損耗問題,但這會使動態(tài)損耗更高,讓電流監(jiān)測變復雜,且額定電壓仍會受限。

SiC 半導體固有的高電壓特性使其成為更優(yōu)解決方案,但用作 SiC MOSFET 的體二極管性能較差,需搭配精心設計的柵極驅動才能實現(xiàn)高效運行。此時,“共源共柵” 或 “SiC FET” 進入了人們的視野,通過結合 Si-MOSFET 與常開 SiC JFET,就可以得到一個常閉快速混合開關。其體二極管具有低傳導損耗、低損耗的特點,采用簡單的非臨界柵極驅動。

SiC FET 是邁向理想開關的重大進步。UnitedSiC 現(xiàn)提供額定電壓高達 1700V 的 SiC FET 產(chǎn)品,但在更高電壓的應用中,IGBT 似乎仍是唯一可行的解決方案。不過,共源共柵或 SiC FET 的實踐歷史非常豐富,使用數(shù)個 SiC JFET 堆棧(而不是單個器件)配置的 “超共源共柵” 可實現(xiàn)更高的額定電壓。如圖所示。

電路中的無源組件尺寸小巧,可用于偏置和平衡串聯(lián)的JFET (J1-J5) 兩端的電壓,而 Si-MOSFET M1 則是具有標準柵極驅動的低壓型組件。為實現(xiàn)更高的額定電壓,我們可以將更多的 SiC JFET 器件或完整的超共源共柵模塊堆疊在一起。UnitedSiC 展示的一個 40kV/1A 開關模塊為我們提供了示例,該模塊共使用了 30 個額定電壓值為 1700V 的 SiC JFET 晶粒,最后測得組合導通電阻僅為 30 歐姆。

wKgaomRrOYuAVETJAAG52Y2Mo0g501.png

圖:使用 5 個 SiC JFET 實現(xiàn)額定電壓約為 5kV 的 SiC FET “超共源共柵”

超共源共柵解決方案的一個好處在于,電流監(jiān)測變得簡單了。借助用隔離元件構建的單個 Si-MOSFET,我們通常能以 1:1000 的感測比例監(jiān)測電流狀況。去飽和檢測也變得更加簡單,因為我們可以監(jiān)測 Si-MOSFET 的漏級,其電壓在導通或阻斷狀態(tài)下通常僅為幾伏特。

該技術的最大優(yōu)勢或許是能夠在堆棧中使用標準現(xiàn)成部件。這些部件均經(jīng)過實際驗證且成本較低,在考慮不同高頻開關的系統(tǒng)優(yōu)勢時,其整體成本比并聯(lián) MOSFET 甚至 IGBT 都更低。由此,最終產(chǎn)品開發(fā)時間得以縮短,風險也得以降低。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城

超共源共柵的損耗非常低,是未來高功率、高頻率開關應用的理想選擇,將會應用于電動汽車快速充電器、牽引逆變器、可再生能源等領域。相關組件將采用標準模塊封裝,不過我猜應該不會像 Admiral 電視那樣采用楓木、胡桃木或紅木色調(diào)。

來源:Qorvo Power ,作者:UnitedSiC現(xiàn)Qorvo

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9674

    瀏覽量

    233587
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3721

    瀏覽量

    69427
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52357
  • 共源共柵
    +關注

    關注

    0

    文章

    25

    瀏覽量

    10631
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    放大器電路圖分享

    放大器是一種特殊的放大器結構,它結合了放大器和
    的頭像 發(fā)表于 02-19 16:15 ?8809次閱讀
    <b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>柵</b>放大器電路圖分享

    安森美SiC JFET結構詳解

    安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應用指南講解了
    的頭像 發(fā)表于 03-26 17:42 ?2308次閱讀
    安森美SiC JFET<b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>柵</b>結構詳解

    怎么實現(xiàn)CMOS功率放大器的設計?

    電感的工作機理是什么?怎么實現(xiàn)
    發(fā)表于 06-18 06:53

    具有最小余度電壓的電流是什么

    低壓結構是什么?具有最小余度電壓的
    發(fā)表于 09-29 06:47

    折疊運算放大器原理及設計

    折疊運算放大器原理及設計 1 引言 本文介紹的運放是一種采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE(1P6M,1.8V/3.3V)CMOS工藝
    發(fā)表于 03-12 15:05 ?1.3w次閱讀
    折疊<b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>柵</b>運算放大器原理及設計

    低溫漂系數(shù)CMOS帶隙基準電壓_鄧玉斌

    低溫漂系數(shù)CMOS帶隙基準電壓_鄧玉斌
    發(fā)表于 01-08 10:24 ?5次下載

    簡史

    盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成,但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而,使用 SiC FET 的 “
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:15 ?950次閱讀

    Cascode以及級聯(lián)Cascade的優(yōu)缺點是什么?

    Cascode以及級聯(lián)Cascade的優(yōu)缺點是什么?
    的頭像 發(fā)表于 09-18 15:08 ?1.5w次閱讀

    單級,和調(diào)節(jié)型型放大器的優(yōu)缺點是什么?

    單級,和調(diào)節(jié)型
    的頭像 發(fā)表于 09-18 15:08 ?5197次閱讀

    為什么運放被稱為telescope?

    為什么運放被稱為telescope??
    的頭像 發(fā)表于 09-20 16:29 ?2145次閱讀

    放大器工作原理及應用特點

    放大器用于增強模擬電路的性能。利用
    的頭像 發(fā)表于 09-28 11:23 ?7105次閱讀
    <b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>柵</b>放大器工作原理及應用特點

    放大器的特點是什么

    放大器是一種特殊的場效應晶體管(FET)放大器,它結合了放大器和
    的頭像 發(fā)表于 09-27 09:38 ?2369次閱讀

    放大器增益偏小的原因

    放大器(Cascode)是一種在集成電路設計中常用的放大器結構,它結合了放大器和
    的頭像 發(fā)表于 09-27 09:46 ?2083次閱讀

    放大器的優(yōu)缺點是什么

    放大器(Cascode amplifier)是一種在模擬電路設計中常用的放大器結構,它結合了
    的頭像 發(fā)表于 09-27 09:48 ?4566次閱讀

    折疊放大器的優(yōu)缺點

    折疊放大器(Folded Cascode Amplifier)是一種在模擬集成電路設計中常用的放大器結構,它結合了
    的頭像 發(fā)表于 09-27 09:50 ?5008次閱讀